Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Шляхи підвищення ефективності використання основних засобів ППВП "Транзистор"

Реферат Шляхи підвищення ефективності використання основних засобів ППВП "Транзистор"





у і товщини епітаксії в межах В± 10% від номіналу, цього недостатньо для ряду вироблених виробів і для більшості проектованих виробів. Неможливо в повною мірою забезпечити високі вимоги, які пред'являються до структур для діодів Шотткі, виробам MOSFET, стабілізаторам напруги, новим перспективним розробкам. p> В результаті під експортні поставки УП "Транзистор" закуповує епітаксіальні структури за кордоном з тенденцією до зростання величини цих закупівель. Крім того, низька надійність призводить до додаткових трудовим і матеріальним витратам на ремонт, перевитрати енергоносіїв, простою обладнання. Висока щільність дефектів росту і вноситься дефектності обумовлює необхідність проведення нульової фотолітографії - "придушення шипів", що дозволить знизити собівартість виробництва кристалів. Таким чином, необхідний переклад установок епітаксійного нарощування в "чисте приміщення" класу 1000 і закупівля більш досконалого епітаксійного обладнання типу GIMINI - 1,2 фірма "LAM RESEACH", доцільно провести технічне переозброєння епітаксіального виробництва ППВП "Транзистор" і оснастити його передовим контрольно-вимірювальному обладнанням. Цьому сприяє той факт, що УП "Транзистор" вже сплатило "чисту кімнату "для епітаксійного обладнання. Впровадження у виробництво високотехнологічного обладнання зажадає більш досконалого вимірювального обладнання. Застосовувані в даний час методики контролю питомої опору епітаксійного шару і обладнання мають ряд недоліків, таких як: висока похибка вимірювання (5 - 10%); неможливість контролю розкиду значень по поверхні пластини; неможливість контролю по супутнику через неможливість контролю на пластині; руйнівне методика (куля - шліф і 4-х зондовий метод). p> Найбільш перспективним методом контролю питомого опору епітаксійних шарів є вольт-фарадні метод з використанням "ртутних зондів".

Така установка дозволяє контролювати питомий опір на товарній пластині неруйнуючим способом з високою точністю. Одним з найбільш відомих виробників установок з ртутними контактами є фірма "Solid State Measurements, Inc. "p> Так як епітаксіальні структури використовуються практично у всіх вироблених і розроблюваних виробах, то використання епітаксійних структур поліпшеної якості дозволить істотно підвищити техніко-економічні показники виробництва і конкурентоспроможність продукції.

Потреба капіталовкладень на придбання обладнання становить 10893,31 млн. рублів.

Джерела фінансування:

виручка від реалізації основних засобів;

нарахований амортизаційний фонд по вибулим (реалізованою) основних засобів (7299,49 млн. руб);

фонд нагромадження (748 млн. руб),

інноваційний фонд (1269 млн. руб)

Сума реалізації незадіяного обладнання, закріпленого на операціях по здійсненню виробничих процесів фаундрі-замовлень, становить 129,92 млн. рублів (Таблиця 4). br/>

Таблиця 4 - Реалізація невикористовуваних машин і устаткування ППВП "Транзистор", закріплених на операціях фаунд...


Назад | сторінка 8 з 16 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Аналіз виробничо-господарської діяльності ППВП "Транзистор"
  • Реферат на тему: Вивчення технологічних процесів та обладнання підприємства з ремонту нафтог ...
  • Реферат на тему: Організація технохімічного і мікробіологічного контролю автоматизованого об ...
  • Реферат на тему: Цифрове обладнання ТОВ "Теркурій-2" та обов'язки співробітнік ...
  • Реферат на тему: Засоби попередження критичних режимів польоту і контролю роботи обладнання