(1)
В
У загальному вигляді економічна доцільність модернізації повинна задовольняти нерівності (1.15)
В
Наведене співвідношення показує, що втрати на експлуатаційних витратах за період служби модернізованих основних коштів менше різниці між витратами на нове обладнання та модернізацію старого на 10,6%.
В
Обгрунтування придбання нового обладнання на умовах банківського кредиту
Проблема дефіциту природних ресурсів, очевидні ознаки енергетичної кризи в тій чи іншій мірі зачіпає всі індустріально розвинені країни, змушує виробників промислової продукції переходити на якісно нові та енергозберігаючі екологічно чисті технології.
Особливу увагу фахівців привертає задача зниження втрат електричної енергії в технологічній ланцюжку: "первинне джерело - перетворення і передача - споживачі електроенергії ", на основі елементної бази силової електроніки. Вироби силової електроніки використовуються повсюдно, забезпечуючи значну економію всіх ресурсів за рахунок оптимізації робочих процесів. ППВП "Транзистор" спеціалізується на виробництві високоякісних і надійних виробів силової мікроелектроніки.
Сучасний потужний транзистор все більше набуває особливостей надвеликої інтегральної мікросхеми з вбудованими функціями захисту по струму і напрузі, в якому, крім оптимізації топології, розробнику доводиться вирішувати питання забезпечення працездатності в умовах граничних електричних і теплових впливів на матеріали конструкції. Щільність упаковки елементів для n-канального МОП транзистора КП723 досягає рівня 1 мільйона елементів/см 2 з мінімальними технологічними розмірами до 1,5 мкм.
Переважна більшість з виробів виготовляються на підкладках з епітаксійних шарами товщиною до 100 мм з різним рівнем легування. Причому вимоги до якості епітаксійних шарів, тобто до разбросам по товщині, питомому опору, вноситься та іншої дефектності, постійно озлоблюються. Тому, для того щоб зберегти і наростити експорт виробів силової мікроелектроніки необхідне використання кремнієвих підкладок з епітаксійних шарами поліпшеної якості. В даний час на заводі № 2 УП "Транзистор" для виробництва епітаксійних структур використовуються установки "Епіквар-101 М" і "Епіквар-121 М". Дане обладнання має реактор циліндричного типу і володіє високою продуктивністю, проте мають ряд недоліків, таких як: нестабільність параметрів епітаксійного шару; високий коефіцієнт заповнення лініями ковзання; високий рівень дефектоутворення в процесі епітаксії; низька надійність реактора установки; недостатній рівень автоматизації управління техпроцесом.
Наявність відмічених недоліків призводить до того, що чинне епітаксіальне устаткування не забезпечує рівень якості епітаксійних структур, необхідний для виробництва конкурентоспроможної продукції. Передбачені конструкцією установки методи усунення неоднорідностей електрофізичних параметрів дозволяють підтримувати розкид значень питомого опор...
