алежна пам'ять:
В· 64/128 Кбайт Flash-програмна пам'ять з підтримкою внутрішньосистемного програмування;
В· ресурс: 1000 циклів запис/стирання;
В· 4 Кбайт вбудованої SRAM;
В· 2К/4К байт EEPROM з підтримкою внутрішньосистемного програмування;
В· Ресурс: 100 000 циклів запису/стирання;
В· Програмована блокування для безпеки вмісту Flash і EEPROM;
В· Периферія:
В· Вбудований аналоговий компаратор;
В· Програмований стежить таймер з вбудованим генератором;
В· Програмований послідовний UART;
В· Ведучий/ведений SPI-послідовний інтерфейс;
В· Контролер реального часу (RTC) з виділеним тактовим генератором;
В· Два 8-ми розрядних таймера/лічильника з окремим попередніми дільником частоти;
В· Розширена система з 16-ти розрядних таймером/лічильником з окремим; попередніми дільником частоти режимами порівняння та захоплення, а також з 8-ми, 9-ти та 10 -ти розрядних ШІМ;
В· Програмований стежить таймер з вбудованим тактовим генератором;
В· 8-ми канальний, 10-ти розрядний АЦП;
В· Спеціалізовані функції мікроконтролера:
В· Режими зниженого енергоспоживання:
В· Спокою (Idle), економічний (Power Save) і відключення (Power Down);
В· Програмно-обирана частота тактового генератора;
В· Зовнішні та внутрішні джерела переривання;
В· Технічні вимоги:
В· Мікропотужні, високошвидкісна CMOS технологія;
В· Повністю статичний режим роботи;
В· Споживана потужність при 4 МГц, 3 В, 25 В° С:
В· Активний режим: 5.5 мА;
В· Режим спокою: 1.6 мА;
В·
