ustify"> 900 кГц;
в. Коефіцієнт нестабільності S ніс = 3;
р. Частотні спотворення в смузі пропускання М = 3 дБ. p align="justify"> Розрахуємо емітерний і резистори дільника напруги (на базі):
,
де IК - струм колектора транзистора, ІК = 2 мА.
.
Rб = Rе * (Sнес-1)
де Rб являє собою паралельно включені Rб1 і Rб2.
Rб = 2 * (3-1) = 4ком.
,
.
,
В
Виберемо транзистор КТ315А з параметрами:
h 21Еmin = 30;
f гр > 250 МГц;
C до = 7пФ.
Визначимо частотні спотворення на кожен конденсатор в смузі пропускання.
М з = 0,1 * М,
М з = 0,1 * 3 = 0,3 дБ.
Переведемо в рази:
,
.
Розрахуємо номінали конденсаторів:
,
,
Виберемо СР1 = 680 пФ.
,
В
Виберемо З БЛ = 22000 пФ.
Допускаючи падіння на R ф десятої частини напруги Е, визначимо:
,
кОм.
В В
Виберемо СФ = 15нФ.
Всі конденсатори, які беруть у резонансах, вибираємо рівними 47нФ.
Визначимо крутизну характеристики транзистора
S = 40 * I до = 40 * 2 = 80 мА/В.
Приймемо Q = 100 і ємність контуру С = 2 нФ.
Визначимо резонансний опір контуру:
,
В
Визначимо коефіцієнт посилення каскаду ППЧ з ФСС
,
,
де К - коефіцієнт передачі ФСС, К = 0,22;
т 1 , т 2 - коефіцієнти включення першого і останнього
контуру ФСС, т 1 = т 2 = 0,3.
Перевіримо умову До U <К вуст
,
С12 = 0,1 * Ск = 0,1 * 7 = 0,7 пФ,
В
Умова КU <До вуст виконується.
Визначимо індуктивність контурів:
,
.
Визначимо критичний коефіцієнт зв'язку
ККР =,
...
