км;
. коефіцієнт інжекції емітера ? = 0,995, який показує , яку частку повного струму емітера складає корисний струм інжекції неосновних (для бази) носіїв з емітера в базу, що визначає керовану частину вихідного струму в колекторної ланцюга. І чим ближче коефіцієнт ? до одиниці, тим ефективніше інжекція;
. коефіцієнт переносу неосновних носіїв через базу від емітера до колектора ? = 0,998, який кількісно характеризує процес рекомбінації дірок в базі;
. коефіцієнт передачі струму емітера ? = 0,93 і коефіцієнт передачі струму бази ? = 141,9. Коефіцієнт передачі струму - найважливіший статичний параметр транзистора, що характеризує його підсилювальні властивості;
. гранична частота підсилення транзистора f гр = 1, 39 МГц;
. напруга пробою колекторного переходу U пр = 17, 9 В і напруга змикання | U кб смик | = 11,6 В.
Список літератури
напівпровідниковий діод транзистор прилад
1 Маллер Р., Кеймінс Т. Елементи інтегральних схем: Пер. з англ. - М.: Мир, 1989. - 630 с., Іл.
2 Степаненко І.П. Основи мікроелектроніки: Учеб. посібник для вузів. - 2-е вид., Перераб. і доп. - М.: Лабораторія Базових Знань, 2001. - 488 с.
