>
. Albuquerque HA, Da Silva RL, Rubinger RM, De Oliveira AG, Ribeiro GM, Rodrigues WN Modeling Chaotic Current Oscillations in Semi-Insulating GaAs with Rate-Equations of Impact Ionization and Field-Enhanced Trapping//Brazilian J. Phys. 2006. V. 36. № 2A. P. 248-251.
. Муравський Б.С., Григорьян Л.Р., Рубцов Г.П., Чорний В.М. Перспективи використання рекомбинационной нестійкості струму у функціональній електроніці//Актуальні проблеми твердотільної електроніки та мікроелектроніки. Праці VII Всеросійській науково-технічної конференції з міжнародною участю. Таганрог, 2000. С. 69.
. Neumann A.J. Slow domains in semi-insulating GaAs//Appl. Phys. 2001. V. 90 (1). P. 1-26.
. Муравський Б.С. та ін. Дослідження кінетики поверхнево-бар'єрної нестійкості//ФТП. 1972. Т. 6 (11). С. 2114-2122.
. Муравський Б.С. та ін. Дослідження кінетики поверхнево-бар'єрної нестійкості струму//Мікроелектроніка. 1989. Т. 18 (4). С. 304-309.
. Zucker J., Conwell E.M. The recombination of hot carriers in germanium//Phys. and Chem. Solids. 1961. V. 22. P. 141-147.
. Pratt R.G., Ridley B.K. Hot electrons and negative resistance at 20 ° K In n-type germanium containing Au? centers//Phys. and Chem. Solids. 1965. V. 26. № 1. P. 21-31.
. Ridley B.K., Pratt R.G. The Capture of Hot Electrons by Gold Centres in n-type Germanium//Proc. Phys. Soc. 1963. V. 81. №6. P. 996-1012.
. Kagan M.S., Kalashnikov S.G., Zhdanova N.G. Nonlinear Electrical Effects and Recombination of the Hot Electrons in Compensated Germanium//Phys. Status Solidi. 1965. V.11. №1. Р. 415-428.
. Горюнова Н.А., Леонов Є.І., Орлов В.М., Родіонов Л.Ф., Сондаевскій В.П. Нестійкості струму в CdSnP 2//Листи в ЖЕТФ. 1970. Т. 12. С. 459-461.
. Воробйов Ю.В., Костильов С.А., Макарова Т.В., Прохоров Е.Ф. Захоплення гарячих електронів в структурах епітаксіальна плівка n-GaAs - напівізолюючих підкладка//ФТП. 1984. Т. 18. №10. С. 1784-1787.
22. Михайлов А.І., Мітін А.В. Експериментальне дослідження нестійкостей струму в довгих високоомних планарних структурах арсеніду галію в умовах впливу оптичного випромінювання//Фізика і технічні додатки хвильових процесів: Тез. докл. VI Міжнародній науково-технічній конференції: Додаток до журналу Фізика хвильових процесів та радіотехнічні системи /Под ред. В.А. Неганова, Г.П. Ярового. Казань, 2007. С. 240-241.
. Михайлов А.І., Мітін А.В. Низькочастотні коливання струму в довгих планарних високоомних структурах арсеніду галію//опто-, наноелектроніка, нанотехнології і мікросистеми: Праці IX міжнародній конференції. Ульяновск: УлГУ, 2007. С. 85.
. Михайлов А.І., Мітін А.В. Рекомбінаційна нестійкість струму в довгих високоомних планарних структурах арсеніду галію в умовах впливу оптичного випромінювання//Фізика і технічні додатки хвильових процесів: Тез. докл. VII Міжнародній науково-технічній конференції, присвяченій 150-річчю з дня народження О.С. Попова: Додаток до журналу Фізика хвильових процесів та радіотехнічні системи raquo ;. Самара: «Самарське книжкове видавництво», 2008. С. 232-233.
. Михайлов А.І., Мітін А.В., Терентьєва А.І., Павлов А.А. Особливості рекомбінаційних неустойчивостей струму в довгих високоомних планарно-епітаксійних структурах арсеніду галію//Фізика і технічні додатки хвильових процесів: матеріали доповідей VIII Міжнародної науково-технічної конференції: Додаток до журналу «Фізика хвильових процесів та радіотехнічні системи». СПб .: Політехніка, 2009. С. 130-131.
. Михайлов А.І., Мітін А.В., Терентьєва А.І. Дослідження рекомбинационной нестійкості струму в довгих структурах на основі високоомного GaAs//Фізика і технічні додатки хвильових процесів: матеріали IX Міжнародній науково-технічній конференції. Челябінськ: Вид-во Челябе. держ. ун-ту, 2010. С. 84.
. Муравський Б.С. Електрофізичні і фотоелектричні властивості транзисторних структур з розподіленим емітером і функціональні прилади на їх основі/Б.С. Муравський, Г.П. Рубцов, Л.Р. Григорьян, О.Н. Куликов//Журнал радіоелектроніки: електронний журнал.- 2000. № 10.
28. Михайлов А.І., Мітін А.В., Кожевников І.О. Особливості виникнення стійких коливань струму великої амплітуди в довгих високоомних планарно-епітаксійних структурах на основі арсеніду галію//Всеросійська конференція «Мікроелектроніка НВЧ»: Збірник праць конференції, Том 1. СПб .: ГЕТУ, 2012. - С. 49-53.
. Михайлов А.І., Мітін А.В., Кожевников І.О. Багаточастотна генерація в паралельних високоомних планарно-епітаксійних структурах на основі арсеніду галію//Всеросійська ко...
