овий рівень інтенсивності (потужності). У такому випадку підсумовування цих сигналів буде приводити до зриву генерації, а відсутність одного з них - до виникнення.
Крім цього, на частині експериментальних зразків спостерігалося інше явище. При засветке структури оптичним випромінюванням відбувається зрив генерації подібно описаному раніше нагоди, однак повне припинення засвічення не приводить до відновлення генерації при незмінній величині прикладеної напруги. Генерація поновлюється лише при короткочасному збільшенні прикладеної напруги на 1 В і більше щодо вихідного. На даному ефекті може бути реалізована енергозалежна оптично перемикається комірка пам'яті, в якій носієм інформації про стан є не амплітудний сигнал, а частотний.
Аналоги
Наявні в даний час на ринку аналоги перетворювача світло-частота компаній TAOS Inc. і HAMAMATSU являють собою інтегральні схеми, що складаються з фотодіода і схеми перетворювача струм-частота. У таблиці 1 наведені порівняльні характеристики двох моделей таких перетворювачів і розроблювального фотоелектричного однокристального перетворювача. Виходячи з паспортних даних, енергоспоживання перетворювачів TSL перевищує енергоспоживання експериментальних зразків в 2 рази. У таблиці 1 наведені порівняльні характеристики інтегральних перетворювачів світло-частота і розроблювального однокристального перетворювача світло-частота.
Таблиця 1
TSL 237TSL 245однокрістальнийНапряженіе пітанія5 В5 В20-40 в максимальному частота1 МГц500 кГц500 кГцЧувствітельность1,2 кГц/(мкВт/см 2) 0,5 кГц/(мкВт/см 2) 0,02 ± 0,008 кГц/люкс 0,01 ± 0,005 кГц/(мкВт/см 2) Вихідна напруга високого уровня4,7 В4,5 В4,5 ВЕнергопотребленіе4,3-18 мВт5,5-18 мВт4-8 мВт
Згідно з експериментальними результатами, перетворювач світло-частота у вигляді окремого однокристального елемента має менше енергоспоживання без критичних відмінностей основних робочих параметрів вже на початковій стадії розробки, без відпрацювання технології виробництва.
Висновки
Таким чином, можна зробити висновок про те, що функціональний однокристальний перетворювач світло-частота може бути реалізований на основі високоомного n-GaAs за допомогою широко розвинених і доступних плнарних технологій і не вимагає великого числа технологічних операцій.
Згідно з отриманими експериментальними даними, 1) форма контактів не впливає на залежність частоти від освітленості, 2) форма залежності частоти від освітленості аналогічна формі залежності середнього струму через структуру від освітленості. Так само в ході проведення дослідження встановлено деякі функціональні особливості, які можуть використовуватися в цифровій електроніці.
Згідно порівняльній таблиці 1, навіть без відпрацювання технології створення розроблюваний перетворювач світло-частота має менше енергоспоживання і некритичні відхилення основних робочих параметрів. Подальше дослідження впливу технологічних аспектів на конкретні робочі характеристики може дозволити звести такі відхилення до мінімуму, а також, можливо, зменшити і габаритні розміри.
Список літератури
1. Єфімов І.Є., Козир І.Я., Горбунов Ю.І. Мікроелектроніка: Проектування, види мікросхем, функціональна мікроелектроніка.- 2-е вид.- М .: «Вища школа», 1987. - 416 с.
. Щука А.А. Функціональна електроніка - М. Моск. держ. ін-т радіотехніки, електроніки та автоматики (техн. ун-т), 1998. - 259 с.
. Глінченко А.С. Цифрова обробка сигналів: У 2 ч. Ч. 1. - Красноярськ: Вид-во КДТУ. 2001. - 199 с.
. Левінштейн М.Є., Пожела Ю.К., Шур М.С. Ефект Ганна. М .: Сов. радіо, 1975. 288 с.
. Шур М.С. Сучасні прилади на основі арсеніду галію/Пер. з англ .; Под ред. М.Є. Левінштейн. М .: Світ, 1991. 632 с.
. Бонч-Бруєвич В.Л., Звягін І.П., Миронов А.Г. Доменна електрична нестійкість в напівпровідниках. М .: Наука, 1972. 416 с.
. Neumann A. Slow domains in semi-insulating GaAs//J. Appl. Phys. 2001. V. 90. № 1. P. 1-26.
. Kiyama M., Yamada M., Tatsumi M. Quantitative analysis of low-frequency current oscillation in semi-insulating GaAs//Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2004. V. 27. P. 185-188.
. Kiyama M., Tatsumi M., Yamada M. High-electric-field current-voltage characteristics and low-frequency oscillations in a low-dislocation-density semi-insulating GaAs//J. Appl. Phys. 2005. V. 97. P. 116103-1-116103-3.
. Yong D., Shengli L., Fuchuan Z. Modulation of low-frequency oscillations in GaAs MESFETs channel current by sidegating bias//Chinese Science Bulletin. 2005. V. 50. № 9. P. 932-935.
