ь паралельності робочої площини підкладки щодо осі Х
Контроль паралельності робочої площини підкладки виконують на рентгенівському дифрактометрі DSO-2Р згідно інструкції з експлуатації. Перед вимірюванням паралельності робочої поверхні підкладку розташовують на столику дифрактометра полірованої стороною вниз. Після запуску програми виконують вимір, результати якого виводяться на екран монітора у вікні редактора WordPad. p align="justify">. Контроль перпендикулярності зрізу (базової або допоміжного залежно від типорозміру підкладки) щодо осі Х
Контроль перпендикулярності зрізу підкладки (базової або допоміжного залежно від типорозміру підкладки) щодо осі Х виконують на рентгенівському дифрактометрі DSO-2Р згідно інструкції з експлуатації. Перед вимірюванням підкладку ставлять на столик дифрактометра на зріз (базовий або допоміжний залежно від типорозміру підкладки) і закріплюють притиском в спеціальному упорі. Встановлюють захисну шторку і виконують вимір, результати якого виводяться на екран монітора у вікні редактора WordPad. p align="justify">. Контроль швидкості ПАР на п'єзоелектричної підкладці
Контроль швидкості ПАР на підкладці проводять на стенді для вимірювання швидкості розповсюдження поверхневої акустичної хвилі в п'єзоелектричних підкладках ІС-1/01 ФКРЕ.636101.001 згідно інструкції з експлуатації ФКРЕ.636101.001 ТО. Для проведення вимірювань вимірювану підкладку встановлюють на вакуумний столик полірованої стороною вгору, базовий рез притискають до упору на вакуумному столику. За допомогою рухомого механізму стійки мікроскопа вимірювальний датчик підводять до підкладки з зазором 5-10 мм, вакуумний столик встановлюють в необхідну позицію. За допомогою рухомого важеля вимірювальний датчик опускають на підкладку. Після установки датчика на підкладку і запуску програми виконують вимірювання швидкості ПАР, результати якого виводяться на екран монітора і зберігаються в БД Paradox. p align="justify">. Контроль неоднорідності швидкості ПАР на п'єзоелектричної підкладці. Контроль неоднорідності швидкості ПАР на підкладці проводять на стенді для вимірювання швидкості розповсюдження поверхневої акустичної хвилі в п'єзоелектричних підкладках ІС-1/01 ФКРЕ.636101.001 згідно інструкції з експлуатації ФКРЕ.636101.001 ТО. Для цього на підкладці в 9 точках виконують вимірювання швидкості ПАР згідно п.14. Неоднорідність швидкості ПАР на вимірюваної підкладці розраховують за формулою
, (2)
де - величина неоднорідності швидкості ПАР на підкладці;
s - середньоквадратичне відхилення швидкості ПАР, ;
- середня швидкість ПАР на підкладці, ;
V i - значення виміряної швидкості ПАР в i-й точці на підкладці.
. Контроль маси п'єзоелектричної підкладки
Контроль маси підкладки виконують за допомогою електронних ваг марки ВТЛК-500 з точністю зважування 0,01 м. Підкладку поміщають на ваги і виконують зважування. p align="justify"> На кожен вид продукції виписується супровідний лист, в якому відображаються всі технологічні операції, і фіксується кількість придатних і бракованих заготовок після кожної операції.
Висновки
За час проходження виробничої практики на підприємстві ВАТ "Фомос-Матеріалс" були вивчені:
завдання та функції служби технічного контролю на підприємстві;
технологічний процес виготовлення п'єзоелектричних підкладок діаметром 100 мм з лангасіта;
контрольно-вимірювальні операції, вимоги до вимірюється параметрами, а так само засоби контролю та вимірювань при виробництві п'єзоелектричних підкладок діаметром 100 мм з лангасіта.
Під час проходження виробничої практики був освоєний метод контролю швидкостей поширення поверхневих акустичних хвиль у п'єзоелектричних підкладках з лангасіта.
Список використаних джерел
. П'єзоелектричні резонатори: Довідник/В.Г. Андросова, Є.Г. Броннікова та ін/За ред. П.Г. Позднякова. -М.: Радіо і зв'язок, 1992. p>. Белоконева Є.Л., Бєлов Н.В. Кристалічна структура синтетичного Ga, Ge-геленітом Ca3Ga2GeO7 = Ca2Ga (GaGe) O7 і зіставлення зі структурою Ca3Ga2Ge4O14// Доповіді академії наук СРСР, 1981. p>. Мілль Б.В., Максимов Б.А., Писаревський Ю.В., Данилова Н.П., Павловська О., Вернер Ш., Шнайдер Ю. Вирощування та структура кристалів La3Ga5SiO14// Кристалографія, 2004.
. Гераськин В.В., Клюхіна Ю.В., Бузанов О....
