манди формування масиву випадкових величин в заданому інтервалі. Отримані результати використовуються для відтворення ВАХ СБ До області технологічного розкиду параметрів відносяться також різні значення послідовного опору окремих фотоелементів. p> Дані щодо надійності і деградації характеристик СБ з плином часу в інформації виробників не наводяться. Погіршення характеристик СБ з плином часу не має стихійного характеру. Процес старіння проходить у дві стадії: протягом першого року експлуатації СБ піддаються швидкої деградації характеристик (1-3%), а далі йде повільне лінійне старіння (0,5-1% на рік). Для обліку старіння СЕ визначається час експлуатації, конфігурація батареї і відповідний коефіцієнт деградації. p> Для оцінки втрат, пов'язаних з нерівномірністю роботи сонячних елементів, або для розрахунку вихідних параметрів частково освітлених сонячних батарей вводиться коефіцієнт k2. Він враховує зміну щільності потоку випромінювання, залежить від відстані до Сонця, втрат у скляному покритті і кута падіння випромінювання. Для більшості кремнієвих СЕ, що використовуються в плоских космічних і наземних батареях, його значення становить від 0 ВЈ k2 ВЈ 2 до 0,5 ВЈ k2 ВЈ 1,5. p> При частковому затіненні одиночного елемента або їх групи зниження вихідної потужності відбувається внаслідок зменшення надходить в елемент світлової енергії і збільшення внутрішніх втрат енергії в неосвітленій частині елементу. Загальну активну площу елемента позначимо At, її освітлену частину Ai, вихідний струм короткого замикання частково затіненого елемента буде дорівнює rIsc, де r = Ai/At. У загальному вигляді ВАХ СБ, що складається з rNp освітлених елементів і (1-r) Np затінених СЕ, описується формулою (3):
. (3)
Ток освітленій частині СБ визначається формулою (4):
,. (4)
Темновая складова струму, яка не залежить від коефіцієнта освітленості k2, описується формулою (5):
,. (5)
Моделі СЕ і СБ оформлені у вигляді бібліотеки компонентів. Кожен з компонентів можна використовувати для імітування складних фотоелектричних систем. p> У розділі 5 проведено порівняння якісних і кількісних результатів моделювання з теоретичними та практичними результатами вишукувань вітчизняних і зарубіжних дослідників.
Для верифікації моделі фотоелемента використовуються кремнієвий СЕ К4702 і СЕ GaInP2/GaAs/Ge фірми Spectrolab. Розрахункові значення параметрів СЕ відповідають еталонним значенням з похибкою менше 2%. Послідовний опір Rs залежить від технології виготовлення СЕ і сильно впливає на його характеристики (малюнок 4): при зменшенні Rs зменшується коефіцієнт заповнення FF і максимальна потужність Pmax. br/>В
Малюнок 4-ВАХ і ВВХ СЕ при різних значеннях Rs
При збільшенні коефіцієнта n (малюнок 5), що описує властивості напівпровідникового матеріалу, FF і Pmax зменшуються. Коефіцієнт n являє собою ступінь ідеальності діода в аналітичній модел...
