При одній і тій же температурі коефіцієнт дифузії води в диоксиде кремнію істотно вище коефіцієнта дифузії кисню. Цим пояснюються високі швидкості росту оксиду у вологому кисні. Вирощування плівок тільки у вологому кисні не застосовується за поганої якості оксиду. Більш якісні плівки виходять в сухому кисні, але швидкість їх росту занадто мала. p align="justify"> Для маскування при локальних обробках оксидування ведуть в режимі сухого-вологий-сухий кисень. Для формування подзатворного діелектрика МОП-структур застосовують сухий кисень, тому що плівки виходять більш якісні.
.4.3 Літографічні процеси
Основне призначення літографії при виготовленні структур мікросхем - отримання на поверхні пластин контактних масок з вікнами, відповідними топології формованих технологічних шарів, і подальша передача топології (малюнка) з маски на матеріал даного шару. Літографія являє собою складний технологічний процес, заснований на використанні явищ, які у Резісто при актинічного опроміненні. p align="justify"> Резісто, розчинність яких у проявнику збільшується після опромінення, називаються позитивними. Негативні резісти після опромінення стають практично нерозчинними у проявнику. p align="justify"> Стандартно в електронній промисловості застосовується оптична літографія - фотолітографія (малюнок 5), - для якої застосовують фоторезисти, чутливі до актинічного випромінювання з довжиною хвилі від 200 до 450 нм. Фоторезисти представляють собою складні полімерні композиції, у складі яких є фоточутливі і плівкоутворювальні компоненти, розчинники та спеціальні добавки. p align="justify"> У проекті використовується позитивний високоякісний і стабільний фоторезист ФП-20Ф, призначений для реалізації контактних і проекційних фотолитографических процесів у виробництві напівпровідникових приладів та інтегральних схем. Відповідно до цього для травлення можна застосовувати слабкий водний розчин KOH або NaOH. p align="justify"> Найбільш оптимальний спосіб нанесення фоторезиста - центрифугування. Підкладка закріплюється на горизонтальній центрифузі. На підкладку наноситься 1-5 мл фоторезиста (залежно від розмірів підкладки). Центрифуга приводиться в обертання до швидкості 1000-3000 об/хв (залежно від марки фоторезиста). Обертання триває 1-2 хв до формування плівки фоторезиста, розчинник при цьому випаровується. br/>В
Рисунок 5 - Схема основних операцій фотолітографічного процесу
Існує кілька способів експонування, у проекті будемо використовувати безконтактний (малюнок 6). Проекційна друк дозволяє повністю виключити пошкодження поверхні шаблону. Зображення топологічного малюнка шаблону проектується на покриту резистом платівку, яка розташована на відстані кількох сантиметрів від шаблону. br/>В
- джерело світла; 2 - оптична система; 3 - шаблон;
- фоторезист; 5 - кремнієва пластина.
...
