">-HCl. Подібна очищення підкладок проводиться при температурі ~ 80 Вє С протягом 10-20 хвилин, після чого здійснюється їх відмивання і сушка.
.4.2 Термічне окислення
Під окисленням напівпровідників розуміють процес їх взаємодії з окислювальними агентами: киснем, водою, озоном і т.д.
Шар двоокису кремнію формується зазвичай на кремнієвій пластині за рахунок хімічної взаємодії в приповерхневій області напівпровідника атомів кремнію і кисню. Кисень міститься в окислювальному середовищі, з якою контактує поверхню кремнієвої підкладки, нагрітої в печі до температури 900 - 1200 В° С. Окислювальним середовищем може бути сухою або вологий кисень. Схематично вигляд установки зображений на малюнку 4 (у сучасних установках пластини в подложкодержателе розташовуються вертикально) [6]. br/>В
Малюнок 4-Схема установки процесу термічного окислення
Вимоги до обладнання:
1) контрольована з точністю до 1 градуса температура подложкодержателя;
2) забезпечення плавного підвищення і пониження температури в реакторі (двохстадійний нагрів);
) відсутність сторонніх часток в реакторі (подложкодержатель спочатку вводиться в трубу реактора, а потім опускається на дно);
) відсутність сторонніх домішок, зокрема, іонів натрію на внутрішній поверхні реактора (з метою їх видалення проводиться попередня продування труби реактора хлором);
) забезпечення введення кремнієвих пластин в реактор відразу після їх хімічного очищення.
Хімічна реакція, що йде на поверхні кремнієвої пластини, відповідає одному з наступних рівнянь:
В· окислення в атмосфері сухого кисню (сухе окислення): Si ТБ + O 2 = SiO 2 < span align = "justify">;
В· окислення в парах води (вологе окислення): Si ТБ +2 H 2 O = SiO 2 < span align = "justify"> + 2H 2 ;
В· термічне окислення в присутності хлору (хлорне окислення);
В· окислення в парах води при підвищених температурі й тиску (гідротермальної окислення). ...
