В«динамічноїВ» пам'яті, DRAM, відноситься до всіх типів оперативної пам'яті, починаючи з найдавнішої, В«звичайноїВ» асинхронної динамічної пам'яті і закінчуючи сучасною DDR2. Цей термін вводиться в протилежність поняття В«статичноїВ» пам'яті (SRAM) і означає, що вміст кожної комірки пам'яті періодично необхідно оновлювати (зважаючи особливості її конструкції, продиктованою економічними міркуваннями). У той же час, статична пам'ять, що характеризується більш складною і дорожчий конструкцією комірки і вживана в якості кеш-пам'яті в процесорах (а раніше - і на материнських платах), вільна від циклів регенерації, тому що в її основі лежить не ємність (динамічна складова), а тригер (статична складова).
Нарешті, варто також згадати про В«пам'яті з довільним доступомВ» - Random Access Memory, RAM. Традиційно, це поняття протиставляється пристроям В«пам'яті тільки на читанняВ» - Read-Only Memory, ROM. Тим не менш, протиставлення це не зовсім вірно, тому що з нього можна зробити висновок, що пам'ять типу ROM не є пам'яттю з довільним доступом. Це невірно, тому як доступ до пристроїв ROM може здійснюватися у довільному, а не строго послідовному порядку. І насправді, найменування В«RAMВ» спочатку протиставлялося раннім типам пам'яті, в яких операції читання/запису могли здійснюватися тільки в послідовному порядку. У зв'язку з цим, більш правильно призначення і принцип роботи оперативної пам'яті відображає абревіатура В«RWMВ» (Read-Write Memory), яка, тим не менш, зустрічається набагато рідше. Зауважимо, що російськомовним скорочень RAM і ROM - ОЗУ (оперативне запам'ятовуючий пристрій) і ПЗУ (постійний запам'ятовуючий пристрій), відповідно, подібна плутанина не притаманна. p align="justify"> Мікросхеми SDRAM: Фізична організація і принцип роботи
Загальний принцип організації та функціонування мікросхем динамічної пам'яті (DRAM) практично єдиний для всіх її типів - як первісної асинхронної, так і сучасної синхронної. Виняток становлять хіба що екзотичні варіанти, проте, що існували ще до появи SDRAM, начебто Direct Rambus DRAM (DRDRAM). Масив пам'яті DRAM можна розглядати як матрицю (двовимірний масив) елементів (строго кажучи, це поняття відноситься до логічному рівню організації мікросхеми пам'яті, розглянутому в наступному розділі, але його необхідно ввести тут для наочності), кожен з яких містить одну або кілька фізичних осередків ( в залежності від конфігурації мікросхеми), здатних вміщати елементарну одиницю інформації - один біт даних. Осередки представляють собою поєднання транзистора (ключа) і конденсатора (запам'ятовуючого елемента). Доступ до елементів матриці здійснюється за допомогою декодерів адреси рядки і адреси стовпця, які управляються сигналами RAS # (сигнал вибору рядка - Row Access Strobe) і CAS # (сигнал вибору стовпця - Column Access Strobe). p align="justify"> З міркувань мінімізації розміру у...
