Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Експериментальні методи Вивчення Електронної структурованих шарувато напівпровідніків

Реферат Експериментальні методи Вивчення Електронної структурованих шарувато напівпровідніків





яється лінійною згідно з попереднім вирази у межах 6 порядків величини, и екстраполяція ее до перетінання з віссю ЕНЕРГІЇ дозволила візначіті Значення Eg , Які добрі корелюють Із відомімі літературними Даними.


7. Спектроскопія полного Струму шарувато крісталів при Електрон збудженні

електрон спектроскопія напівпровіднік ЕМІСІЯ

Спектроскопія полного Струму (УПС) [24] - Інтегральний метод повторно-емісійної спектроскопії <# "justify"> Спектроскопія полного Струму (УПС) дозволяє вівчаті структуру щільності незаповненіх Електрон станів твердого тіла. У режімі СПС паралельний пучок електронів Із завданні фіксованою енергією Направляється на поверхню зразки ї реєструється струм у ланцюзі зразки як функція від ЕНЕРГІЇ падаючіх електронів [1]. Енергія зондувального пучка варіюється в діапазоні 0-30 еВ, а інтенсівність досягає 10 -6 А/см 2 . Для Виявлення тонкої структурованих реєструється перша похідна S (E) = di (E)/de від Струму по ЕНЕРГІЇ з використаних модуляції ЕНЕРГІЇ падаючіх електронів и фазового детектора для Здійснення діференціювання.

У методі спектроскопії полного Струму запісується струм електронів, что проходять у ланцюзі зразки, при опроміненні его поверхні незміннім по велічіні потоком Первін електронів, енергія якіх рівномірно змінюється від 0 до 30 їв. Спектр полного Струму ідентичний спектру відбіття електронів у зворотнього півсферу за умови незмінності первинного Струму ї полного збору всех вихідних Із кристала електронів, тоб:

( E ) = - Ir eff ( E ).


Гідністю СПС служити простота експериментального забезпечення в порівнянні з устаткування для запису спектрів відбіття. Спектрів полного Струму представляються у вігляді похідної di (E)/de від Струму, что проходити у ланцюзі зразки.

Тонка структура полного Струму відбіває щільність незаповненіх Електрон станів Вище уровня вакуумі. Если енергія падаючіх електронів відповідає дозволеній зоні в матеріалі зразки, то спостерігається ЗРОСТАННЯ коефіцієнта проходження електронів з вакууму в зразок І, як наслідок, Збільшення Струму в ланцюзі зразки. При збігу ЕНЕРГІЇ електронів Із Заборонений зоною відбувається Зменшення коефіцієнта проходження електронів и Струму. Метод СПС дозволяє такоже відслідковувати Потенціал поверхні зразки [24]. p align="justify"> У режімі СПС паралельний пучок електронів направлявся на досліджуван...


Назад | сторінка 9 з 13 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Дія магнітного поля на рухомі заряди та закон полного Струму и его Використ ...
  • Реферат на тему: Рух електрона в однорідних полях. Аналіз енергії електронів методом гальму ...
  • Реферат на тему: ЕМІСІЯ електронів. Електричний струм в газах
  • Реферат на тему: Руху електронів у вакуумі в електричному і магнітному полях
  • Реферат на тему: Методи структурного аналізу тонких плівок. Метод дифракції електронів низь ...