Кафедра КПрА
Курсова робота з курсу: "Технологічні процеси мікроелектроніки"
На тему: "Фільтр верхніх частот "
В В В В В
Рязань 2008
Зміст:
Вихідні дані
Введення
Аналіз технічного завдання
Розробка топології
Резистори
Резистори типу "квадрат"
Конденсатори
Розрахунок площі плати
Висновок
Список літератури
Вихідні дані
В
Фільтр верхніх частот. Схема електрична принципова № 52
Номінали
R1 - Резистор 10.0 kОм 1шт; C1, C2 - Конденсатор 10000 пФ 2шт
R2, R3, R6, R7 - Резистор 12.0 kОм 4шт; С3, С4 - Конденсатор 2.2 мкФ 2шт
R4 - Резистор 3.6 kОм 1шт;
R5 - Резистор 1.2 kОм 1шт;
R8 - Резистор 0.2 kОм 1шт; V1 ... V4 - Транзистор КТ324В 4шт (СБО.336.031 ТУ)
Плату слід виготовити методом фотолітографії. p> Експлуатаційні вимоги: Т р = -45 0 +40 0 С, t е = 4000 ч.
Введення
Постійної тенденцією в радіоелектроніці є зменшення габаритів і мас апаратури, підвищення її надійності. До появи інтегральних мікросхем цей процес протікав у напрямку мініатюризації окремих елементів. Наступним кроком у мініатюризації було створення техніки інтегральних мікросхем. Цей етап принципово відрізнявся від попередніх тим, що в ньому апаратура збирається не з окремих елементів або модулів, а з функціональних схем, утворених в єдиному технологічному процесі виробництва. Основними різновидами технології мікросхем є: плівкова, напівпровідникова та змішана.
У плівковій технології інтегральна мікросхема утворюється нанесенням на діелектричну підкладку в певній послідовності плівок з відповідних матеріалів. Виготовлені таким чином мікросхеми називаються плівковими інтегральними мікросхемами (ПІМС). Різновидом ПІМС є гібридні інтегральні мікросхеми (ГИМС), у яких частина елементів, що мають самостійне конструктивне оформлення, вноситься у вигляді навісних деталей. p> Надзвичайним важливими характеристиками мікросхем є ступінь інтеграції і щільність упаковки. Ступінь інтеграції представляє показник складності мікросхеми та характеризується числом містяться в ній елементів і компонентів. Щільністю упаковки називається відношення числа елементів і компонентів мікросхеми до її об'єму. br/>
Аналіз технічного завдання
У даному курсовому проекті потрібно розробити мікрозборку фотолітографічним способом.
фотолітографічне технологічний процес заснований на термовакуумних, іонно-плазмовому, катодному, магнетронном напилюванні декількох суцільних шарів з різних матеріалів з подальшим отриманням конфігурації кожного шару методом фотолітографії.
Переваги: ​​висока точність виготовлення і щільність розміщення елементів на підкладці.
Недоліки: метод фотолітографії не можна застосовувати для створення багатошарових конструкцій тонкоплівкових інтегральних мікросхем, тому що кожен раз при отриманні малюнка чергового шару потрібна обробка підкладки травильним розчином, що негативно позначається на інших шарах з можливою зміною їх електрофізичних властивостей. Після чергової фотохімічної обробки потрібно ретельне очищення підкладки від реактивів, для забезпечення необхідної адгезії наступних загрожених шарів; таким методом можна виконати малюнок не більш ніж двох шарів різної конфігурації тобто неможливо виготовити тонкоплівковий конденсатор (крім танталового) і здійснити перетин провідників.
Типова послідовність формування плівкових елементів при фотолітографічне методі (порядок вакуумного осадження):
варіант 1
1. осадження резистивної плівки;
2. осадження провідної плівки на резистивну;
3. фотолітографія і травлення проводить шару;
4. фотолітографія і травлення резистивного шару;
5. нанесення плівки межслойной ізоляції;
6. осадження провідної плівки;
7. фотолітографія і травлення проводить шару;
8. осадження захисного шару.
варіант 2
1. нанесення маскуючого шару;
2. фотолітографія конфігурації резисторів;
3. напилення матеріалу резистивної плівки;
4. видалення маскуючого шару;
5. напилення провідної плівки;
6. фотолітографія проводить шару;
7. нанесення матеріалу захисного шару.
При виготовлення гібридних мікросхем вдаються, як правило, до корпусних захисті. При виборі виду і типу корпусу необхідно керуватися вимогами, що пред'являються до умов експлуатації гібридних інтегральних мікросхем, габаритних параметрів з урахуванням ступеня інтеграції, складності схеми та ін Також необхідно враховувати, що технологія пайки або зварювання штирькові висновків менш трудомістка і більш відпрацьована.
Залежно від умов зберігання і експлуатації до корпусів мікр...
