Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » Експлуатація установки полунепреривного дії "Ораторія-5" і розрахунок часу відкачки шлюзу

Реферат Експлуатація установки полунепреривного дії "Ораторія-5" і розрахунок часу відкачки шлюзу





Зміст


Введення

. Аналіз завдання на проектування

. Огляд сучасного обладнання для отримання тонких плівок

.1 Встановлення вакуумного напилення тонких плівок

.2 Трикамерна вакуумна установка нанесення тонких плівок з напівбезперервним циклом роботи

.3 Вакуумна установка безперервної дії

. Аналіз методів нанесення тонких плівок

. Аналіз матеріалів і конструкцій магнетронів для іонного розпилення тонких плівок

. Призначення, основні конструктивні елементи робочої камери установки В«Ораторія-5В»

.1 Призначення

.2 Основні конструктивні елементи

. Порядок підготовки установки до роботи

. Основні несправності та методи їх усунення

. Розрахунок часу відкачки шлюзу

. Заходи з охорони праці

Висновок

Література


Введення


Друга половина XX в. була ознаменована прискореним розвитком вітчизняної науки, техніки і виробництва в найбільш важливих для країни напрямах, серед яких особливе місце належало електронній техніці.

Особлива роль у розвитку електронних технологій належить вакуумній техніці, яка використовується і як робоче середовище електровакуумних приладів різного призначення, і як засіб для здійснення найскладніших фізико-технологічних процесів сучасної твердотільної електроніки, що протікають у високому і надвисокому вакуумі на молекулярному та атомному рівні з використанням енергетичних потоків електронів, іонів, плазми, нейтральних атомів і ін

Ці процеси широко використовуються для осадження покриттів з молекулярних і сепарованих іонних пучків, розмірної обробки остросфокусірованнимі потоками електронів та іонів, іонного легування, вирощування надтонких структур методом молекулярно-променевої епітаксії та інших процесів.

У виробництві ІС вакуумним нанесенням тонких плівок можна отримувати провідники та контактні площадки, тонкоплівкові резистори, конденсатори, індуктивні елементи, діелектричні покриття і магнітні плівки, напівпровідникові структури ІС.

Основними характеристиками тонких плівок є їх структура, розмір зерна, чистота, адгезія до підкладки, механічні напруги, які визначаються параметрами технологічного процесу та обладнання для нанесення плівок. На якість тонких плівок впливають такі фактори, як якість матеріалу підкладки і її очищення, шорсткість і температура підкладки, чистота вихідного матеріалу, швидкість осадження, парціальний тиск залишкових газів в робочій камері, взаємне розташування і відносне переміщення джерела і приймальні...


сторінка 1 з 14 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Дослідження впливу параметрів MOCVD-осадження на структуру, електричні і ма ...
  • Реферат на тему: Методи структурного аналізу тонких плівок. Метод дифракції електронів низь ...
  • Реферат на тему: Технологія отримання та фізичні властивості тонких плівок
  • Реферат на тему: Магнетронний метод отримання тонких плівок на поверхні стекол
  • Реферат на тему: Розробка технологічного процесу та обладнання для виготовлення особливо тон ...