так само мают буті когерентного, прінаймні перший годину после імпульсу. ЦІМ обумовлена ​​активна післядія таких імпульсів. З годиною когерентність руйнується, як и у разі спінальної ехо-камери, что веде до загасання післядії. p> Дослідження просторових и спектральних властівостей фотонної ехо-камери и возможности кутової оптічної ехо-камера-спектроскопії (спільно Із співробітнікамі ЕТН-центру, Цюріх, Швейцарія). <В В
Мал. 4.2. Зміна Довжина Хвилі фотонної ехо-камери при зміні кута между Хвильового векторами и збуджуючіх імпульсів. Вертикальні стрілки позначають центр В«тягаріВ» спектральній Лінії сигналом ФЕ при рівному 0 В°, 7.4 В° и 10 В°. Штрихового лінією позначені спектр імпульсів. Сигнал фотонної ехо-камери має головний максимум уздовж Хвильового вектора на частоті
У Деяк резонансними СЕРЕДОВИЩА (напр., в полімерніх плівках, легованих молекулами фарбників [1]) експериментально досліджені просторові и спектральні Властивості фотонної ехо-камери (ФЕ) i виявля зміна Довжина Хвилі ФЕ (Відносно Довжина Хвилі збуджуючіх імпульсів) при варіюванні кута между Хвильового векторами ціх імпульсів. Один з результатів привидів на малий. 4.2. p> Збуджену двома, розняття в часі, лазерними імпульсамі резонансними середовище можна ототожніті з керованого інтерференційнім фільтром. Властивості дінамічніх В«гратВ» нерівноважної населеності и полярізації, лежачих в Основі цього фільтру, були експериментально досліджені в работе [2]. Аналіз, проведень в работе [3] на Основі експеріментів [1, 2], показує на можлівість кутової оптічної ехо-камера-спектроскопії.
2. Дослідження довгожівучої фотонної ехо-камери (ДСФЕ), что стімулює, і розробки фізічніх Принципів оптічної фазової пам'яті.
Детально досліджені багатоімпульсні режими записами, кодування и прочитування ІНФОРМАЦІЇ в режімі ДСФЕ в крісталі тріфторіаду лантану з празеодімом на довжіні Хвилі 477.7 нм при температурі рідкого гелію. Створений макет пристрою, что запам'ятовує, что Діє, на Основі ДСФЕ. Відзначімо недавні ЕКСПЕРИМЕНТ по некогерентного ФЕ в рубіні в умів світловолоконні транспортування до Зразки окрем збуджуючіх імпульсів.
3. Дослідження оптичного надвіпромінення (ОСІ) i тригерною оптичного надвіпромінення (ТОС).
У функціонуванні оптичних фазових процесорів могут використовуват сигналі ОСІ [7]. У 1999 году БУВ свячень успішній експеримент по СПОСТЕРЕЖЕННЯ оптичного надвіпромінення в крісталі тріфторіду лантану з празеодімом на довжіні Хвилі 477.7 нм при температурі рідкого гелію [8]. Осцілограма сигналом ОСІ (праворуч) i імпульсу накачування (Зліва) наведена на малюнку 4.3
В
Мал. 4.3 Осцілограма сигналом оптичного надвіпромінення (праворуч) у крісталі [8]. Імпульс ОСІ детектувався в напрямі, зворотнього імпульсу накачування. Із ЗРОСТАННЯ потужності накачування спостерігалося такоже надвіпромінення на довжіні Хвилі 606 нм.
Разом з цімі ЕКСПЕРИМЕНТ спільно з ФТІНТ АН України (м. Харків) були поставлені ЕКСПЕРИМЕНТ по тригерною оптичні надвіпроміненню на Іншому крісталі - діфенілі, легованих молекулами пірену [9]. Явище ТОС спостерігалося на довжіні Хвилі 373 нм. Результати ЕКСПЕРИМЕНТ пріведені на малюнку 4.3. p> Відзначімо результати теоретичності розробок ТОС в умів, коли роль інжекційного імпульсу Виконує Потік біфотонов. Заслуговують на уваг такоже розробки Теорії безінверсного ОСІ в домішковіх кристалах. br/>В
Мал.4. 3. Форми сігналів и просторова Розподіл інтенсівностей в крісталі діфенілу з піреном [9]: (а) чисте ОСІ; (б) інжекційній імпульс; (в) ТОС. Ціна великого ділення 20 нс.
4. теоретичності Дослідження проблеми лазерного охолоджування твердих тіл.
У Основі процеса лежить антистоксових режим, пояснень на малюнку 4.4.
В
Мал. 4.4 антистоксових режим лазерного охолоджування стекол І крісталів, легованих рідкоземельнімі іонамі: (а) спрощена трірівнева схема процеса, де Н - накачування, Ф - флуоресценція, Фн - фонон, (б) схема робочих рівнів іонів трівалентного ітербію в тяжелометалліческом склі, на Основі Якого американськими досліднікамі (R. Epstein et.al. Patent USA № 5447032 від 05.09.1995) БУВ Створений макет лазерного рефрижератора. До теперішнього годині досягнутості охолоджування на 65 В°, починаючі від кімнатної температури.
Квант накачування менше кванта флуоресценції на величину ЕНЕРГІЇ фононів. У результаті енергія фононів несеться з твердотілого зразки в процесі флуоресценції. Результати наших теоретичності розробок, на Які посілаються Американські досліднікі, підсумовувані в Книзі [10]. Для Підвищення ефектівності охолоджування запропоновано використовуват процес надвіпромінення [11]. У Данії годину проводяться Дослідження процеса самоохолодження активних ЕЛЕМЕНТІВ Деяк твердотіліх лазерів (напр., на Основі кристала, одночасно легованих іонамі.
...
