о pnp транзистора при різних напружених колектора в схемі з загальною базою
При збільшенні напруги на колекторі розширюється колекторний перехід, тобто зменшується товщина нейтральної бази, що призводить до збільшення коефіцієнта передачі.
2.3.2 У схемі із загальним емітером
Параметри моделювання:
. AC LIN 1000 10 20Meg
. STEP I_I1 LIST 10u 20u 50u
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 29. Частотна залежність коефіцієнта передачі струму бази в залежності від вибору робочої точки (постійної складової струму бази) в схемі з загальним емітером
У схемі із загальним емітером проявляються ті ж ефекти, що і в схемі із загальною базою. Тому вплив робочих струмів і колекторного напруги подібні раніше наведеним.
Параметри моделювання:
. AC LIN 1000 10 20Meg
. STEP V_V1 LIST 1 20 травня
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 30. Частотна залежність коефіцієнта передачі при різних напружених колектора в схемі з загальним емітером
Параметри моделювання:
. AC LIN 1000 10 20Meg
. STEP V_V1 LIST 1 20 травня
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 31. Частотна залежність коефіцієнтів передачі в схемах із загальною базою і загальним емітером
З графіка видно, що частотні властивості біполярного транзистора гірше в схемі з загальним емітером. Відмінності в частотних властивостях пов'язані з тим, що на відміну від схеми із загальною базою схемою з загальним емітером відчуває фазовий зсув між струмами, в той час як схема з загальною базою чутлива тільки до амплітудам струмів.
2.4 Імпульсні характеристики
2.4.1 У схемі із загальною базою
Рис. 32. Схема моделювання роботи біполярного транзистора на імпульсах
Параметри моделювання:
. TRAN 0 0.5u 0 0.001u
. STEP PARAM Ie LIST 10m 100m
. TEMP 125
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 33. Графік залежності струму колектора як функції часу при різних струмах емітера
З ростом струму емітера зростає кількість інжектованих в базу транзистора неосновних носіїв заряду, що збільшує час їх розсмоктування.
2.4.2 У схемі із загальним емітером
Рис. 34. Схема моделювання імпульсних характеристик біполярного транзистора в схемі з загальним емітером
Параметри моделювання:
