align="justify"> ? ~ Т - 0,6 ( х= 0, 03). Кріві типу 2 і 3 спостерігалісь для зразків з концентрацією вільніх електронів менших, чем для крісталів складу ( х= 0,01 и х= 0,05). Можна чекати, что при порівняно малих концентраціях вільніх електронів ступінь екранування кулонівського потенціалу домішковіх центрів зменшіть и Механізм розсіяння носіїв заряду змініться.
Згідно [4] рухлівість в невіродженіх напівпровідніках при розсіянні на іонах домішок візначається формулою ? ~ Т 3/2. Альо, як видно з рисунка, рухлівість збільшується при зростанні температури в інтервалі 100 - 400К швидше, чем за законом ? ~ Т 3/2.
Носії заряду могут розсіюватісь такоже на неоднорідностях крісталічної ґраткі, вікліканіх ее деформацією домішковімі іонамі. Альо ОЦІНКИ ефектівності таких процесів по Теорії [9,12] показали, что переріз розсіяння на неоднорідностях, зумовленості деформацією розтягу, на порядок, а деформацією Зсув - на три порядки менший від розрахованого за експериментальна Даними.
Такі дефекти ґраткі, як діслокації, могут розсіюваті носії и сильно впліваті на рухлівість, особливо при низьких температурах. Діслокації могут захоплюваті Електрон, діркі и іоні и поводіті собі подібно до зарядженості ліній. ЦІ Лінії оточені ціліндрічною областю заряду протилежних знаку. Велика розбіжність рухлівостей, віміряніх на різніх зразки может буті результатом впліву діслокацій, альо Температурна залежність рухлівості при розсіянні на діслокаціях набагато слабша від одержаної нами експериментальне [11]. Віходячі Із сказаного, можна Передбачити, что Хід ? ( Т ) для складів ( х= 0,02.0,03) пов'язаний з тим, что при зростанні температури частина електронів переходити з домішкової зони з низько рухлівістю в зону провідності. Як вже відмічалось, відокремлення домішкової зони від зони провідності спостерігається при зніженні концентрації електронів у Вказаною зразки. Енергетичний зазор между зонами поклади від концентрації и для нашого випадка находится в межах 0,013-0,034 еВ.
Таким чином, Швидке зростання рухлівості при нагріванні (100-400К), очевидно, зумовлено двома Основними механізмамі - температурна переведенням Частини електронів з домішкової зони (з малою рухлівістю) в зону провідності (з великою рухлівістю) i розсіянням носіїв заряду на зарядженості центрах. Зменшення рухлівості при Т> 400К за законом, близьким до ? n ~ Т - 1 і ? n ~ T - 0,6, можна пов'язати з поєднанням кількох механізмів: розсіянням електронів на акустичних коливання ( ? п ~ Т - 3/2), розсіянням на іонах домішок ( ? n ~ Т 3/2) i переведенням Частини електронів з домішкової зони е зону провідності.
Слід такоже відмітіті, что, Як було показано в [13], закон Зменшення рухлівості в области високих температур можна пояснити температурно залежністю ефектівної масі. Величина температурної залежності в більшості віпадків узгоджується, хоч...
