Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Дослідження електричних властівостей напівпровідніковіх твердих розчінів

Реферат Дослідження електричних властівостей напівпровідніковіх твердих розчінів





и й достатньо грубо, з температурним ходом ширини забороненої зони [13]. Проти, у нашому випадка Вказаною закон спадання рухлівості, очевидно, не має місця.

Зроблені Вище Висновки про переважні механізмі розсіяння е ТР підтверджуються и проведеного нами Незалежності комплексними вімірюваннямі температурних залежних термоЕРС ? ( Т ) та холлівської концентрації п (Т) в інтервалі температур 160-400 К [14-15].

За Даними ціх вимірювань розраховувалісь величин які уровня фермі (Т). З іншого боку, залежність п (Т] розраховувалась за формулою Колодзечак [16]:


(20)


де - інтеграл Колодзечак;


? =( kT ) / Е g


- привидів інтеграл фермі.

Величини Е g та m * бралися з оптичних вимірювань (Розділ IV).

З порівняння експериментальної залежності п ( Т ) з теоретичності за формулою (20) можна оцініті m * для ТР різніх складів. Дані, наведені в [14-15] добро узгоджуються з описом у розділі IV, отриманий з вимірювань оптичного відбівання в области плазмового резонансу. Так, m * залежався від хімічного складу крісталів ТР та концентрації носіїв заряду и при 150.170 До змінювала свою величину в межах (0,009.0,022) m 0 при 0,001 < х < 0,03, при х 0,01 вона набувала мінімального Значення 0,009? тго При Т=290.300 До мінімальне Значення т * рівне 0,017 m 0 , ДІАПАЗОН Зміни m * для вказаної области складів ТР - (0, 017. О, 037) m 0 .

Зменшення ефектівної масі електронів в области 0, 01 < х < 0,02 может буті пов'язане з опусканням дна зони провідності, Яке досягає максимуму у вказаній области складів ТР. Причиною цього может буті деформація крісталічної ґраткі та зміна ее параметра (Розділ II).


1.4 Висновки до розділу III


1. На залежності концентрації вільніх носіїв зарядів від складу в области х= 0,02 - 0,03 виявлено мінімум, Який пов «язується з утвореннями в ТР нейтральних комплексів типу ( СdTe ) 0 та других. Показано, что частка іонів об »єднаніх в Такі парі, складає не менше 98%. Зменшення числа розсіюючіх центрів в сплаві супроводжували збільшенням рухлівості електронів, яка досягає максимуму при х= 0,02.0,03.

2. Для сильно вироджених сталева х =0,01 и х= 0,05 рухлівість НЕ поклади від температури, т?? Ді як при частковий знятті вироджених ( х= 0,02.0,03) в температурному інтервалі 100 - 400К спостерігається різкій ріст рухлівості ? п ~ T 2,5 ч1, 9, а в области 400 - 700 К рухлівість зменшується як ? n ~ Т - 1.

. Із АНАЛІЗУ температурної залежності рухлівості при частковий знятті вироджених, ВСТАНОВЛЕНО, что между домішковою зоною и зоною провідності утворюється енергетичний зазор завбільшки


Е=0,013 ч0, 034 еВ.


Список викорис...


Назад | сторінка 11 з 12 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Залежність ширини забороненої зони в кремнії від температури
  • Реферат на тему: Природно-рекреаційні ресурси Бойківщини у межах Львівської области
  • Реферат на тему: Дослідження температурної залежності оптичних властивостей перетворювачів о ...
  • Реферат на тему: Побудова регресійної залежності хімічного складу и механічніх властівостей ...
  • Реферат на тему: Характеристики електричних конденсаторів. Основні области! Застосування