чини квазіімпульсу так, як и у випадка параболічної зони. Зокрема, при розсіянні на акустичних коливання ВІН НЕ поклади від квазіімпульсу и величина тр НЕ змінюється з енергією. Таким чином, Вплив непараболічності на залежність годині релаксації від квазіімпульсу проявляється Тільки через Густиня станів.
В кристалах ТР рухлівість електронів, Визначи з вімірів ЕФЕКТ Холла и електропровідність при Достатньо високих температурах змінюються з температурою и концентрацією носіїв заряду й достатньо складним чином. Для зразків з концентрацією електронів п - 2 х 1018см ~ 3 ( х= 0,01) i п= 6 1018см - 3 ( х= 0,05) рухлівість в температурному інтервалі 77-700 К залішається постійною (кріві 1 і 4). Така Температурна залежність рухлівості характерна для металів, де спостерігається Явище Залишкова опору. Для обчислень ? ( Т, n ) вікорістовувалась формула з [10], одержані для розсіяння електронів на екранований кулонівському центрі у вироджених напівпровідніку:
де п d - концентрація зарядженості центрів у Електрон напівпровідніку з Повністю іонізованімі донорами рівна концентрації електронів п.
Формула (17) віведена на Основі припущені, что потенціальна енергія електрона на відстані т від однозарядного розсіюючого центру рівна
Рис. 4. Температурна залежність рухлівості електронів ТР (InSb) 1-x (CdTe) x.
С'клад ТР x :
0.01: 2 0.02: 3 0.03: 4 0.05.
де r е - Радіус екранування , Рівний у випадка сильного вироджених
При п ~ 1018см - 3 результати розрахунків по Формулі (17) з точністю до 20-25% співпадають з експериментально. Крім того, рухлівість згідно (17) і (17а) зменшується Із ЗРОСТАННЯ концентрації за законом, близьким до ? ~ 1/n1, 4. Величина ? у нашому випадка прийомів рівною значенню діелектрічної пронікності для ІпSb ( ? = 16,5). При п= 6 1018см - 3 Радіус екранування, згідно (19), Складанний ~ 10-6 см.
Таким чином, можна сделать Висновок, что розсіяння носіїв заряду для складів х= 0,01 и х= 0,05 в широкому температурному інтервалі відбувається Головним чином на екранований кулонівському центрі, тоб подібне розсіянню на нейтральних домішках.
При зменшенні концентрації розсіюючіх центрів в результаті їх взаємної компенсації при утворенні нейтральних комплексів типу ( СdTe ) 0, величина и характер температурної залежності рухлівості змінюються. Аналіз кривих 2 і 3 на рис.4 показавши, что в температурному інтервалі 100-400 К рухлівість електронів спочатку збільшується як ? ~ Т? , Де при х =0,02 ? =2,5, при х =0,03 ? =2,2, а потім в температурній области Т > 400К, спадає за законом, близьким до ? ~ Т - 1 < i align="justify"> (х= 0, 002) i
