ладок невеликі (менш 100-200 В° С), що розширює можливості отримання наноструктурних плівок з невеликим розміром зерен і аморфних плівок. Однак швидкості напилення в кілька разів нижче, ніж у випадку дугових методів. В
Малюнок 5 Схема установки магнетронного розпилення
1 - катод-мішень; 2 - постійний магніт, 3 - джерело живлення; 4 - анод; 5 - траєкторії руху електронів; 6 - зона (доріжка) розпилення; 7 - силові лінії напруженості магнітного поля
При іонно-променевої обробці вибивання атомів мішені відбувається за рахунок бомбардування її поверхні іонними пучками. На малюнку 6 приведена схема установки бінарного іонно-стимульованого осадження нітридних плівок. Металеві іони утворюються при бомбардуванні метталіческіе мішені іонами інерних газів або азоту з джерела 3 , а джерело 2 використовується для бомбардування безпосередньо плівки (у разі іонів азоту плівки синтезованих нітридів можуть бути сверхстехіометрічнимі).
В
Малюнок 6 Схема установки бінарного іонно-стимульованого осадження нітридних плівок [15]:
1 - мішень (Ti, Zr, Hf), 2 - джерело іонів аргону, ксенону, неону або азоту для підкладки; 3 - джерело тих же іонів для мішені; 4 - Підкладка; 5 - механізм обертання; 6 - фіксатор координат; 7 - лічильник щільності струму; 8 - лічильник швидкості осадження
Стосовно до деяких металах та металам (Ni, Cu, Ni-P, Ni-Mo, Ni-W та ін) для отримання наноматеріалів виявився вельми ефективним метод імпульсного електроосадження, коли реалізується висока швидкість зародження кристалітів і за рахунок адсорбційно-десорбційних інгібуючих процесів забезпечується їх низька швидкість росту. p> Отримує поширення метод газотермічного напилення наноструктурньтх покриттів [[16]]. В якості сировини використовуються різні оксидні (Al 2 O 3 -TiO 2 , Al 2 O 3 -ZrO 2 , Cr 2 O 3 -TiO 2 , ZrO 2 -Y 2 O 3 тощо) і карбідні (WC-Co, Cr 3 C 2 -Ni і ін) композиційні нанопорошки. Схема установки для газотермічного напилення твердосплавних порошків з використанням кисень-вуглеводневих газових сумішей показана на Малюнок 7. Перед напиленням вихідні порошки обробляють у високоенергетичних подрібнюючих агрегатах, а потім для поліпшення сипучості піддають агломерації (змішування з пластифікатором і обкатці). В результаті отримують округлі часток розміром 10-50 мкм. Остання операція забезпечує достатню швидкість надходження агломерованих сфероидов в плазмову струмінь. Хоча температура останньої досить висока (приблизно 3000 К і вище), але високі швидкості газового потоку (близько 2000 м/с) призводять до короткочасного перебуванню наноструктурних часток у високотемпературному інтервалі. Розмір нанокристалітів зазвичай збільшується від 30-40 нм до 200 нм, але показники твердості і зносостійкості таких покриттів перевершують так...
