lign="justify"> м 2
Підставивши числові значення, отримаємо:
= Fсільф = Р? F еф = 133300? 25.5? 10 -4 = 339.915? 339.9 Н, = 339.9 Н,
У розрахунок будемо брати межа пропорційності, який становить
- 25% від межі текучості. Приймемо - 20%. У результаті отримаємо обмеження за умовою міцності при розтягуванні - стисканні для пластини:
В
Де
Так як поперечна сила при центральному розтяганні-стисканні дорівнює нулю, то і дотичне напруження = 0.
Частина навантаження передається сильфони, навантаження ця незначна. Оскільки за ГОСТ 22388-90 сильфони випускаються з діапазоном характеристик: осьовий хід сильфона (стиснення) від 0.6 мм до 24.7 мм, максимальний робочий тиск (внутрішнє та зовнішнє) від 0.25 МПа до 3.1 МПа вважаємо розрахунок міцності сильфона можна опустити. p align="justify"> Розміри пластини: висота L = 165 мм = 0.165, h = 17 мм = 0.017 м. Площа пластини буде дорівнює:
А = L? h? d = 0.165? 0.017? d = 0.002805 d,
За умовою міцності беремо максимальне значення прикладеної сили:
В
Тепер нам потрібно підібрати матеріал, щоб виконувалася умова:
В
Але з іншого боку ми повинні відштовхуватися від коефіцієнта тензочутливості тензорезисторів. Найбільший коефіцієнт мають напівпровідники. Припустимо ми візьмемо кремній. У нього значення S t досягає 170.
т = 170, але? = E m (? L/l) = E m ? (? R/(S t ? R)),
Для напівпровідників -? l/l 0,1% = 0.001,
Точність вимірювання за умовою що припустимо.
? 0.001 E m ,
тобто 0.606/d 0.001? E m
або E m 606/d
Всі обмеження визначені.
E m МПа 606/d
[ s ] МПа 0.606/d ...
