Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Дослідження електричних властівостей напівпровідніковіх твердих розчінів

Реферат Дослідження електричних властівостей напівпровідніковіх твердих розчінів





таних джерел


1. Ансельм А.І. Введення в теорію напівпровідників.- М.: Наука, 1978. - 574 с.

. Маделунга О. Фізика напівпровідникових сполук елементів III і V груп.- М.: Світ, 1967. - 467 с.

. Бонч-Бруєвич В.Л., Калашников С.Г. Фізика напівпровідників.- М.: Наука, 1977. - 670 с.

4.Сміт Р. Напівпровідники.- М.: Світ, 1982. - 549 с.

. Мотт Н., Туз У. Теорія проводь мости по домішках / / УФН.- 1963. - V.79 - P.691 - 697.

6.Davis T., Comton Wpensation Dependens of Impurity Conductiony - Doped Germanium / / Phys. Rev.- 1965. - V.140.- A2188.

. Мірзабаев М., Наумов Ю.П., Прокоф'єва С.П., Саїдов А.С., ТуркевічВ.М., Шмарцев Ю.В. Вплив магнітного поля на енергію активації Е 2 в германии n - типу / / ФТП.- 1968. - 2. - № 6.- С.1097 - 1100.

. Хілсум К., Роуз-Інс А. Напівпровідники типу А 3 В 5 .- М.: ІЛ, 1963. - 305 с.

. Шкловський Б.І., Ефрос А.Л. Електронні властивості легованих напівпровідників.- М.: Наука, 1979. - 396с.

10.Xu Jainer, Gong Yagin, Zheng Gouzhen, Guo Sholing. Effect of impurity compensations on nonlinear conductivity in n-type InSb material / / J. Semicond.- 1991. - 12. - № 6. - P.338 - 345.

11.Аніщенко В.А., Бродові В.А., В'ялий Н.Г., Вікулов В.А., Кнорозок Л.М. Вплив комплексоутворення на електричні властивості кристалів твердих розчинів ( InSb} i- x (CdTe) x // Російська

. академія наук. Неорганич. матеріали.- 1993. - Т.29.- N2.- С. 197-199.

13.Tsukioka Kunio. Electron mobility in InSb at intrinsic condaction range / / Men. Fac. Eng. Tamagawa Univ.- 1990. - № 25. - P.47 - 62.

14.Аніщенко В.А., В'ялий Н. Г, Кнорозок Л.М., Пердій В.О. Про механізмі розсіяння електронів в ТР ( InSb ) x ( CdTe ) 1 -x / / Тез. Доп. II української конференции «Матеріалознавства и фізика напівпровідніковіх фаз змінного складу.»- Ніжин.- 1993. - Ч.3.- С.322.

. Аніщенко В.А., В'ялий Н. Г, Кнорозок Л.М. Про Механізм розсіяння електронів в ТР ( InSb ) x ( CdTe ) 1-x n- типу.// Наукові записки Ніжінського державного педагогічного института, серія фізмат наук.- Ніжин.- Т. XV. 1995. - С.87 - 91.

. Аскеров Б.М. Електронні явища переносу в напівпровідниках. М.: Наука, 1985. - 320с.


Назад | сторінка 12 з 12





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Фізика напівпровідників зі зниженою розмірністю
  • Реферат на тему: Фізика напівпровідників із зниженою розмірністю
  • Реферат на тему: Будова і властивість матеріалів. Кристалічну будову. Вплив типу зв'яз ...
  • Реферат на тему: Вплив постійного магнітного поля на структуру та електричної Властивості по ...
  • Реферат на тему: Виробництво твердих сичужних сирів типу &Швейцарський&