td colspan=2 valign=top>
Тип провідності
р
Рухливість носіїв заряду, см 2 /У В· сек
п‚і пЂ 6000
Щільність дислокацій, см -2 і розподіл їх за пластині
<200
однорідне
Концентрація залишкових домішок, см -3
<1 В· 10 14
Розкид показників по площі пластини,%
<3
Концентрація глибоких рівнів, см -3
<1 В· 10 14
Порушення стехіометрії в обсязі і на поверхні
відсутня
В
Технологія формування транзисторних структур [7]
В даний час і в осяжному майбутньому іонна імплантація буде найбільш поширеним методом формування активних верств в масового виробництва через таких очевидних переваг, як: простота здійснення, висока однорідність і відтворюваність параметрів імплантованих шарів, локальність методу. Характерною особливістю процесу в технології GaAs є необхідність імплантації малих доз домішки і малі глибини залягання шарів. Основними вимогами до устаткування для імплантації є: контроль і відтворюваність малих доз імплантований домішки, формування пучків з малим розкидом по енергіях (моноенергетіческіх), контроль емісії джерел іонів, контроль поперечного перерізу пучка, придушення ефектів каналювання, контроль привнесених забруднень, заряду і температури пластин під час імплантації, відсутність взаємодії іонного пучка з конструкційними матеріалами установок імплантації.
Крім імплантації, істотним моментом формування активного шару, є активаційний отжиг, що проводиться при температурах порядку 800 - 900 про С.
Тре6ованія до технології формування активних верств наведені у таблиці 6.2. [7]
Таблиця 6.2
Іонна імплантація
Імплантні іони
Si, Mg, Se, Be, B, Te, SiF 2
Енергія іонів, кеВ
50 п‚ё 400
Розкид по енергіях,%
2
Доза імплантації, див -2
1 В· 10 12 п‚ё пЂ 5 В· 10 13
Точність підтримки дози,%
1
Температура підкладки, про С
25 - 400
Режим обробки пластин наведені в таблиці 6.3. [7]
Таблиця 6.3
Режим обробки пластин
груповий
Активаційний отжиг
Спосіб відпалу
Термічний в печі
Температура відпалу, про С
800-900
Точність підтримки температури., про С
2
Розкид температури в межах пластини, про С
2
Ступінь активації домішки,%
> 90
Параметри активних верств
Концентрація домішки в каналі, см -3
10 -12
Рухливість носіїв заряду, см 2 /В * сек
3500
Вимоги до технології обробки поверхні. [7]
На заключних стадіях виробництва технологія обробки поверхні, в основному, визначається завданнями, що виникають при осадженні металевих і діелектричних шарів, травленні, формуванні контактів і при проведенні операцій планарізаціі. Тому вимоги до технологією обробки поверхні на даних стадіях практично не відрізняються від аналогічних вимог технології кремнієвих пластин.
На початкових стадіях виробництва вимоги до технології обробки поверхні визначаються вимогами формування межі розділу арсеніду галію з металевими, діелектричними і напівпровідниковими шарами. Найбільш суттєвими з них є: структурну доскон...
