розкриттям міжрівневих контактних вікон, формування другого шару металізації і т.д.
Багато серійно випускаються ІМС виготовляються на основі алюмінієвої металізації з ізолюючими шарами SiO 2 [2]. Плівки діоксиду кремнію можуть осідати як з легуючими добавками, так і без них. Найважливіший параметр при осадженні SiO 2 - відтворюваність рельєфу (малюнок 9).
В
Малюнок 9-Конформне відтворення. Товщина плівки на стінках сходинки не відрізняється від товщини на дні і поверхні. Обумовлено швидкої поверхневої міграцією [6]
У даному проекті як ізолюючої плівки між багаторівневої металізацією використовується нелегований діоксид кремнію, що наноситься методом хімічного осадження з газової фази (малюнок 10). Останній заснований на використанні явища піролізу або хімічних реакцій при формуванні плівок ізолюючого матеріалу. br/>В
Рисунок 10 - Установка формування плівок методом хімічного осадження з газової фази при нормальному тиску [6]
В якості хімічно активного газу застосовують моносилан SiH 4 і кисень, а в якості буферного газу - азот.
SiH 4 + O 2 < span align = "justify">? SiO 2 + 2H 2
Такий процес є самим низькотемпературним для отримання якісних діелектричних шарів SiO 2 (реакцію проводять в діапазоні температур 200-400 Вє С). Недоліком є ​​горючість і вибухонебезпечність силану. Плівки формуються дуже чистими, але через низькі температури виходять нещільними. Щоб уникнути цього потрібно строго регулювати концентрацію силану в газовій фазі і подавати його безпосередньо на поверхні пластин, запобігаючи зростання SiO 2 в газовій фазі [1].
3. нженерно-економічні розрахунки
Тема проекту: Розробка технологічного процесу виготовлення напівпровідникових інтегральних схем
Тип технології: МОП транзистор з діодом Шотткі
Матеріал підкладки: Si
Вихідні дані по проекту:
Розмір кристала (чіпа) 10х10 мм 2
Мінімальна проектна норма елемента ІС 0,3 мкм
Щільність дефектів на шар 0,1 деф/см
