області низьких температур.
Т, К , Дж20-0, 029.10 -20 30-0,026 В· 10 -20 40-0,028 В· 10 - 20 50-0,032 В· 10 -20 60-0,038 В· 10 -20 70-0,045 В· 10 -20 80-0,054 В· 10 -20 90-0,065 В· 10 -20 100-0,076 В· 10 -20 110 -0,089 В· 10 -20 120-0,103 В· 10 -20
При абсолютному нулі рівноважний рівень Фермі розташовується посередині між дном зони провідності і домішковими рівнями [7].
При підвищенні температури в напівпровіднику протікають два процеси: збільшення концентрації електронів n внаслідок іонізації домішкових атомів і збільшення числа станів в зоні Nc ~ T3/2. Якщо n зростає повільніше, ніж Nc, що має місце при N д Nc), то ступінь невироджені газу зменшується і піднімається вгору до тих пір, поки N д не зрівняли з Nc. При подальшому підвищенні температури n починає знову відставати від Nc і починає опускатися вниз приблизно пропоционально T, як показане на малюнку 2.1, в [3]. p> Підставивши в (2.2.1) рівноважний рівень Фермі з (2.2.4), отримаємо такий вираз для рівноважної концентрації електронів провідності:
В
При T = 20К маємо
В
Нижче наведена таблиця залежності концентрації вільних носіїв заряду від температури для даної області.
Таблиця 2.2 - Залежність концентрації вільних носіїв заряду від температури в області низьких температур.
Т, К n, м -3 201,23 В· 10 24 303,337 В· +10 24 405,963 В· +10 24 508,713 В· +10 24 601 , 15.10 24 701,428 В· 10 24 < span align = "justify"> 801,703 В· 10 24 901,973 В· 10 24 1002,238 В· 10 24
