ається з вимірів струмів, напруг і параметрів відповідно до ТУ;
. Механічний контроль здійснюють шляхом додатка статичних і динамічних навантажень з метою перевірки міцності з'єднань, кріплень, а так само для контролю якості матеріалу [4].
Види підкладок мікросхем
Конструктивною основою ІМС є підкладка з діелектричного матеріалу, на поверхні якої формуються плівкові елементи і межелементние з'єднання. В якості підкладок застосовують електровакуумні скла, ситалли, кераміку, і ряд інших. Скло, володіючи дуже гладкою поверхнею і гарну адгезію з матеріалами, що наносяться на його поверхню, разом з тим має погану теплопровідність і невисоку механічну міцність. Кераміка, володіючи підвищеною механічною міцністю і теплопровідністю, має порівняно високу шорсткість поверхні. Тому вона застосовується в основному для товстоплівкових ІМС. Найбільш широке застосування для підкладок знаходять ситалл і фотосіталл [3]. br/>
Висновок
У першій частині ПЗ курсової роботи мною були розглянуті фізичні процеси в таких напівпровідникових структурах, як: метал - діелектрик - напівпровідник, р-n- перехід, контакт метал-напівпровідник.
У другій частині ПЗ курсової роботи виконано розрахунок електрофізичних характеристик напівпровідникових структур. Для р-n- переходу розраховані: величина контактної різниці потенціалів ? < span align = "justify"> 0 = 0,62 В; теоретична вольт-амперна характеристика; величина диференціального опору r = 40? 10 26 Ом; бар'єрна ємність С б = 6,9 пф і товщину збідненого шару W = 1,4 мкм; визначені концентрації основних і неосновних носіїв. Так само були розраховані і побудовані енергетичні зонні діаграми р-п - ​​переходів. Для структури метал-напівпровідник розраховані: величина контактної різниці потенціалів ? 0 = 0,7 В, висота бар'єру Шотткі ? б = 0,61, дифузійні та дрейфові складові швидкості електронів, товщина збідненого шару і бар'єрна ємність. Для структур МДП і МП розраховані і побудовані енергетичні зонні діаграми.
У третій частині ПЗ курсової роботи мною були розглянуті наступні питання: локальна епітаксії, основні методи складання інтегральних мікросхем, методи герметизації ІМС в корпусах різного типу, методи контролю та випробувань мікросхем і види підкладок.
В ціло...
