я, розсіяння з просторовим дозволом до 50 нм. Дозвіл ІНТЕГРА Соляріс, яке визначається розміром апертури оптичного зонда (отвори в металевому покритті на вістрі оптоволокна, що проводить лазерне випромінювання) значно перевершує обмежене дифракційною межею дозвіл звичайного оптичного мікроскопа. br/>В
Рис. 6. Скануючий бліжнепольного оптичний мікроскоп на платформі
ІНТЕГРА Соларис
ІНТЕГРА Соларис дозволяє проведені дослідження: біологічних об'єктів, здійснювати контроль якості поверхонь оптичних деталей, досліджувати випромінюючі напівпровідникові структури, вимірювати нанооптіческіе і інтегрально-оптичні елементи тощо
.3 Вакуумна напилювальні установка SPI для нанесення тонких плівок (нанометровій товщини) золота, а також плазмового очищення
Вакуумна напилювальні установка SPI Module Sputter/Carbon Coater (Structure Probe, Inc. США) (рис. 7) дозволяє наносити тонкі плівки (нанометровій товщини) вуглецю і золота з метою створення струмопровідних доріжок на мікрофлюідних чіпах для подачі керуючого напруги на виконавчі елементи та реєстрації електричного струму. Також на даній установки можна здійснювати плазмову очищення і модифікацію поверхні зразків. br/>В
Рис. 7. Вакуумна напилювальні установка SPI Module Sputter/Carbon Coater. br/>
Вакуумне напилення засноване на створенні спрямованого потоку частинок (атомів, молекул або кластерів) матеріалу, що наноситься на поверхню виробу. Процес включає в себе такі стадії, як перехід напилюваного речовини з твердого стану в газоподібний, перенесення молекул газової фази до поверхні виробу, формування плівки. p align="justify"> За способом перекладу речовини з конденсованої в газову фазу розрізняють вакуумне випаровування і іонну розпилення. При іонному розпиленні частинки завдається речовини вибиваються з поверхні конденсованої фази шляхом її бомбардування іонами низькотемпературної плазми. Варіантами іонного розпилення є катодне, магнетронне, іонно-плазмове і високочастотне розпилення, які відрізняються один від одного умовами формування і локалізацією в просторі низькотемпературної плазми. Якщо розпорошення проводиться у присутності хімічних реагентів (у газовій фазі), то на поверхні виробу утворюються продукти їх взаємодії з розпиляним речовиною. Таке розпорошення називається реактивним. p align="justify"> Перенесення частинок напилюваного речовини від джерела (мішені) до поверхні зразка здійснюється за прямолінійним траєкторіях при вакуумі 10 -2 Па і нижче (вакуумне випаровування) і шляхом дифузійного і конвективного переносу в плазмі при тисках 1 Па (катодне розпилення) і 10 -1 -10 -2 Па (магнетрон...
