її температурна залежність
Параметри моделювання:
. DC LIN I_I1 0 500m 0.1m
. TEMP - 60 27 125
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 75. Графік прямої гілки ВАХ діода.
При підвищенні температури падіння напруги на діод зменшується через зниження висоти потенційного бар'єру (стає вже ЗЗ).
8.1.2 Зворотній гілка ВАХ діода і її температурна залежність
Параметри моделювання:
. DC LIN V_V1 0125 0.01
. TEMP - 60 27 125
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 76. Графік струму через діод при малих зворотних напругах і різних температурах.
При низьких температурах видно, що залежність струму характерна для генераційної природи струму, а при підвищених температурах спостерігається насичення струму, що характерно для дифузійної природи зворотного струму.
.1.3 Зворотній гілка ВАХ діода і її температурна залежність. Область пробою
Параметри моделювання:
. DC LIN V_V1 119 125 0.0001
. TEMP - 60 27 125
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 77. Графік струму через діод при великих зворотних напругах і різних температурах.
Рис. 78. Початкова ділянка графіка струму через діод при великих зворотних напругах і різних температурах.
У початковій області струм визначається властивостями pn переходу, а при великих токах обмежуючим дією сопрот?? Лення нейтральних областей диодной структури. На цій ділянці можна визначити опір нейтральних областей.
8.2 Динамічні характеристики діода
.2.1 На гармонійному сигналі
Рис. 79. Схема моделювання залежності струму діода від частоти і температури.
8.2.1.1 Тимчасова залежність струму через діод
Параметри моделювання:
. TRAN 0 0.01u 0 0.0001u
. STEP PARAM qwe LIST 5 січня 20 жовтня
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 80. Тимчасова залежність струму через діод від амплітуди випрямляється напруги
З ростом амплітуди випрямляється напруги збільшується інжектовані в базу діода заряд, на розсмоктування якого потрібно більше часу, тому з ростом амплітуди прямої напруги збільшується час відновлення зворотного опору діода.
8.2.1.2 Залежність динамічних властивостей діода від температури
Параметри моделювання:
. TRAN 0 0.01u 0 0.0001u
. ...
