афік залежності положення рівня Фермі від усіх трьох точних температур , і < span align = "justify">. Графік цієї залежності представлений в додатку В.
Висновок
У цій роботі мною був зроблений розрахунок температурної залежності концентрації електронів у власному напівпровіднику для наближених і точних значень, побудовані графіки цих залежностей. Обчислені температури переходів до власної провідності і виснаження домішки. p align="justify"> Необхідні знання, набуті у цій роботі, дозволили мені підвищити інтерес до даної галузі наук і розширити свій професійний кругозір.
Дана робота є фундаментом придбання високих професійних навичок і розрахована на широке коло читачів - інженерів, науковців та студентів молодших і старших курсів технічних вузів.
Необхідна інформація, наведена в моїй курсовій роботі, служить для залучення молодих підприємливих студентів до активної творчої діяльності в даному розвиваються напрямку.
Список використаних джерел
1. Пасинків В.В., Сорокін В.С. Матеріали електронної техніки 3-е изд. - СПб.: Видавництво В«ЛаньВ», 2001. - З 91-101. p align="justify">. Єпіфанов Г.І., Мома Ю.А. Фізичні основи конструювання та технології РЕА і ЕВА. - М.: Сов. Радіо, 1979. - 350с. p align="justify">. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Фізика твердого тіла. Навчальний посібник для вузів. - М.: Вища. шк., 2000.-384 з. (16 прим.).
. Бонч-Бруєвич В.Л., Калашников С.Г. Фізика напівпровідників, 1977 рік - з 167-200. p align="justify">. Ансельм А.І. Введення в теорію напівпровідників. З 225-231. p align="justify">. К. Зеегер. Фізика напівпровідників. Видавництво В«МИРВ» 1977 рік. - З 19. p align="justify">. Р. Сміт. Напівпровідники. 2-е вид. доп. 1982. - 560 с. p align="justify">. Ю.П., Кардона М. Основи фізики напівпровідників/Пер. з англ. І.І. Ретиной. Під ред. Б.П. Захарчені. - 3-е вид. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. - 560 с
9. Фізика на порозі XXI століття № 3, 2000 рік Журнал "Наука і життя"
10. Ж.І. Алфьоров. Стаття В«Фізика напівпровідників і нанотехнологіїВ»
Додаток А (обов'язковий)
Програма розрахунку
Вихідні дані
число долин в ВЗ
число долин в ЗП постійна Больцмана , Дж/К
маса спокою електрона кг
кг маси електронів по головних осях еліпсоїда, кг
кг маси дірок по головних осях еліпсоїда, кг
елементарний заряд, Кл
постійна Планка Дж з
енергія акцепторного ...
