истики фільтрів;
- побудова фільтрів І та ІІ порядків та їх основні параметри;
- роботу та основні характеристики Електрон прістроїв на базі діференціатора та інтегратора.
Вміті:
- уміті самостійно Проводити аналіз напівпровідніковіх прістроїв;
- самостійно Проводити лінійній та нелінійній аналіз електронною схеми; - самостійно Проводити розрахунки параметрів каскаду електронного підсілювача.
1. Електронно-дірковій Перехід ТА ЙОГО Властивості
.1 Електричні Властивості напівпровідніків
До напівпровідніків відносяться Речовини, что займають по велічіні пітомої електрічної провідності проміжне положення между металами и діелектрікамі. Їх Питома електрична провідність лежить у межах від 10-8 до 105 див/м і в відмінність від металів вона зростає з ростом температури. p align="justify"> Напівпровіднікі являютя собою й достатньо чисельного групу Речовини. До них відносяться Хімічні елєменти: германій, кремній, бор, Вуглець, фосфор, сірка, миш'як, селенів, сіре олово, телур, йод, деякі Хімічні Сполука и багатая органічніх Речовини. p align="justify"> У електроніці знаходять! застосування обмеже кількість напівпровідніковіх матеріалів. Це самперед кремній, германій, и арсенід галію. Ряд Речовини, таких як бор, миш'як, фосфор Використовують як домішки. p align="justify"> Застосовувані в електроніці напівпровіднікі мают Дуже Зроблений крісталічну структуру. Їхні атоми розміщені в просторі в строго періодічній послідовності на постійніх відстанях один від одного, утворіті крісталічні ґраті. Ґраті найбільш Розповсюдження в електроніці напівпровідніків - Германія и кремнію - мают структуру алмазного типу. У таких гратах КОЖЕН атом Речовини оточеній чотірма такими ж атомами, что знаходяться у вершинах правильного тетраедра. p align="justify"> Коженая атом, что находится в крісталічніх гратах, електричний нейтральний. Сілі, что утрімують атоми у Вузли грат, мают квантовомеханічній характер; смороду вінікають за рахунок обміну взаємодіючіх атомів валентні Електрон. Подібний зв'язок атомів звет ковалентного зв'язку, для ее создания необхідній пара електронів. p align="justify"> У Германії и кремнії, что є чотірьохвалентнімі елементами, на зовнішній оболонці мається по чотірьох ковалентні зв'язки з чотірма найближче, навколішнімі его атомами.
.2 Носії заряду в напівпровідніку
У Розглянуто ідеальних гратах ВСІ Електрон зв'язані Зі своими атомами, тому така структура не винна Проводити електричний струм. Однак у напівпровідніках (что докорінно відрізняє їх від діелектріків) порівняно невелікі енергетичні впливи, обумовлені чи нагріванням опроміненням, могут привести до розріву Деяк валентність зв'язків у гратах. При цьом валентність електрон, что відірвався від свого атома, переходити у новий стійкій стан, у якому ВІН має здатність переміщатіся по крісталічнім ґратам. Такі зірвані з валентність зв'язків рухліві Електрон назіваються Електрон провідності. Смороду обумовлюють електропровідність напівпровідніка, називані електронною електропровідністю. p align="justify"> Мінімальна величина ЕНЕРГІЇ DW, якові звітність, повідоміті валентному Електрон для того, щоб відірваті его от атома и сделать рухлівім, поклади від структурованих грат І, отже, є параметром напівпровідніка. p> Енергія електронів, что переміщаються по крісталі, лежить у Деяк діапазоні значень, інакше Кажучи, електроних займають цілу зону ЕНЕРГЕТИЧНИХ рівнів, називаних зоною провідності. Енергетичні стани валентність електронів такоже утворять зону, називаний валентної. Між максимальним рівнем валентної Зони и мінімальнім рівнем Зони провідності лежить область ЕНЕРГЕТИЧНА станів, у якіх Електрон НЕ могут знаходітіся; це так називана Заборонена зона. Ширина забороненої Зони візначає Енергію, необхідну для Звільнення валентного електрона, тоб Енергію іонізації атома напівпровідніка. Таким чином, з енергетічної точки зору відрівші валентного електрона від атома и Перетворення его в електрон провідності відповідають перекіданню електронів з валентної Зони в зону провідності. p> При розріві валентного зв'язку и відході електрона з атома в ґраті утворен незаповненій зв'язок, Який наявний нескомпенсованій позитивний заряд, Рівний по велічіні заряду електрона. Тому що на незаповненій зв'язок легко переходити валентні Електрон Із сусідніх зв'язків, чому спріяє тепловий рух у крісталі, то місце, де відсутній валентний електрон, (називані, діркою), хаотично переміщається по ґратам. При наявності зовнішнього полючі дірка такоже буде рухатіся в Напрямки Дії полючі, что відповідає перенесенню позитивного заряду, т...
