ішок; температура переходів власної провідності; заборонена зона; зона провідності; валентна зона; концентрація вільних носіїв заряду . p align="justify"> У вступі описані напівпровідники загалом, їх типи і види, відмінність від металів і діелектриків, властивості напівпровідників, якими вони характеризуються, а також області їх застосування та їх актуальність.
У першому розділі дана класифікація речовин по електропровідності, проаналізовано властивості власних і домішкових напівпровідників, розглянуто типи провідності напівпровідників. Крім цього розглянуто типи домішок і розібрані енергетичні зонні діаграми як домішкових, так і власних напівпровідників, визначено критерій невироджені електронного газу. Також розглянута ефективна маса густини станів і статистика носіїв у власних напівпровідниках. p align="justify"> У другому розділі курсової роботі представлений розрахунок ефективної маси густини станів електронів в зоні провідності і дірок у валентній зоні, температурної залежності електрофізичних властивостей домішкових напівпровідників донорного типу.
Введення
Науково-технічний прогрес немислимий без електроніки. Інтенсивний розвиток електроніки пов'язано з появою нових різноманітних напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем, які знаходять широке застосування в обчислювальній техніці, автоматиці, радіотехніці і телебаченні, в установках вимірювальної техніки, медицини, біології і т.д.
Напівпровідники являють собою велику групу речовин, що займають по величині питомої опору проміжне положення між діелектриками і провідниками. Відмітною властивістю напівпровідників є сильна залежність їх питомого опору від концентрації домішок. При введенні домішок змінюється не тільки значення провідності, а й характер її температурної залежності. У більшості напівпровідників питомий опір залежить також від температури та інших зовнішніх енергетичних впливів (світло, електричне і магнітне поле, іонізуюче випромінювання і т.д.). На керуванні за допомогою тепла, світла, електричного поля, механічних зусиль електропровідністю напівпровідників заснована робота терморезисторов (термисторов), фоторезисторів, нелінійних резисторів (варисторов), тензорезисторів [1]. p align="justify"> Напівпровідникові матеріали за хімічним складом можна розділити на прості і складні.
Простими (елементарними) напівпровідниковими матеріалами є 12 хімічних елементів періодичної системи: у III групі - В; в IV - З, Ge, Si. Sn (сіре олово); в V - Р, As, Sb; в VI - S, Se, Ті; в VII-I. У напівпровідниковій електроніці в основному застосовують Ge і Si, а інші використовують як легуючих добавок та компонентів складних з'єднань. p align="justify"> Складними напівпровідниковими матеріалами є хімічні сполуки, які мають напівпровідниковими властивостями і включають два, три і більше елементів. Напівпровідникові сполуки, що складаю...
