"> Однополярний набір різнополярних набір
Ланка типу ССЕ
Сигнальні провідники на відповідних шарах розташовуються ортогонально, що знижує взаємні електричні параметри між лініями. При цьому взаємна ємність зводиться до мінімуму, а взаємна індуктивність практично дорівнює нулю. Мале значення взаємної ємності між лініями в сигнальних шарах дозволяє представити вихідне ланка у вигляді двох незалежних простіших ланок С (x) Е і С (y) Е.
Однополярний набір різнополярних набір
Ланка типу ЕСЕ
Ланка ЕСЕ являє собою Полосковим лінію передачі зі стабільними електричними параметрами. Ця ланка має низку позитивних властивостей порівняно з розглянутими раніше ланками: стабільністю параметрів і можливістю з високою точністю прогнозувати значення хвильового опору. Слід зазначити, що в кожному зазорі між шарами знаходиться однакове число прокладок.
Однополярний набір різнополярних набір
Ланка типу ЕССЕ
Розміром, визначальним значення хвильового опору, є відстань між потенційними шарами.
Однополярний набір різнополярних набір
Розрахунок
По таблиці 3 (у додатку) вибираємо базову структуру з урахуванням чотирьох сигнальних, чотирьох потенційних і двох технологічних шарів. Тоді список SL буде містити три структури:
. Т - ССЕ - Е - Е - ЕСС - Т
. Т - РЄ - ЕСЕ - ЕСС - Т
. Т - РЄ - ЕССЕ - ЄС - Т
· Розглядаємо структуру Т - ССЕ - Е - Е - ЕСС - Т.
В даній структурі необхідно провести розрахунок тільки одного СП-ланки ССЕ.
За малюнком 5 (у додатку) по заданій у вихідних даних погонной ємності при t=0.3 мм визначаємо.
А) Визначаємо кількість прокладок між шарами при однополярному наборі
, приймаємо.
Тоді. За малюнком 5 за уточненими даними визначаємо паразитную ємність
Відстань між потенційним шаром E і шаром C (х) дорівнює
За малюнком 5 визначаємо ширину провідника при й. Отримуємо ширину провідника
Товщина ланки при однополярному наборі
Б) Визначаємо кількість прокладок між шарами при різнополярних наборі
, приймаємо.
Тоді. За малюнком 5 за уточненими даними визначаємо паразитную ємність
Відстань між потенційним шаром E і шаром C (х) дорівнює
Товщина ланки при різнополярних наборі
Визначаємо загальну товщину МПП при структурі Т - ССЕ - Е - Е - ЕСС - Т
- кількість СП ланок у структурі МПП=2
- кількість зон установки міжзонних ізоляцій при наявності технологічних ланок=3 +2=5
- кількість ізоляційних прокладкових зон для однополярного набору одно 3
- кількість СП ланок у структурі МПП=2
- кількість зон установки міжзонних ізоляцій при наявності технологічних ланок
- кількість ізоляційних прокладкових зон для різнополярного набору одно 6
Розраховуємо оптимальну товщину
Товщина, обумовлена ??якістю монтажу мікросхеми
Можливість реалізації МПП з отриманими структурами із зад...
