ВСІ Інші пов'язані з ЦІМ Властивості матеріалів. Тому, крім прикладного аспекту, у вівченні вузькозонних напівпровідніків з проміжнім и високим рівнем легування спеціально підібранімі домішкамі значний роль відіграють теоретичні и експериментальні Дослідження впліву на Властивості віхідного матеріалу деформації крісталічної гратки, міждомішкової взаємодії, електрон-деформаційної взаємодії, Вивчення складних комплексів за участю домішковіх атомів и атомів ОСНОВНОЇ гратки, структурних дефектів, тощо.
Віщезазначене Дає Підстави вважаті, что обрана тема курсової роботи є ВАЖЛИВО и актуальною, як в практичному, так и в теоретичності плані.
твердий напівпровідніковій розчин сплав
1. Електричної Властивості крісталів TP (InSb) 1-x (CdTe ) x
Вивчення новіх напівпровідніків звічайній почінають з Дослідження Деяк характеристик, Які дозволяють Скласти Загальну уяву про Властивості досліджуваного кристала. До таких характеристик належати оптичні и термічна ширина забороненої зони, власна концентрація носіїв заряду, ефективна маса Густиня станів, рухлівість носіїв заряду різного типу, что залежався від параметрів зонного спектру и механізму розсіяння. Багато з назвами характеристик одержані помощью ДОСЛІДЖЕНЬ кінетічніх Коефіцієнтів, Які є найбільш Поширеними в експеріментальній практіці. До них належати, зокрема, електропровідність и коефіцієнт Холла. ЦІ методики дають й достатньо надійну інформацію про Властивості напівпровідніка.
1.1 Підготовка зразків
Зразки для експериментальних вимірювань вірізалісь з монокрісталічніх злітків помощью алмазного диску. Смороду малі форму паралелепіпеда з розмірамі 1 х (2.3) х (8.12) мм 3, довга вісь Якого співпадала з безпосередньо (110) або (100), а більші Грані знаходится у площіні (001). Для видалений кулі Товщина до 150 мкм, порушеннях при вірізуванні, проводилося шліфування порошком М10. Потім при кімнатній температурі здійснювалось травлення в поліруючому травнику СР - 4А. Омічні контакти Виготовляю вплавлення індію.
Однорідність зразків контролювалась кількома методами. Спочатку помощью термозондів підтверджувалась відсутність в крісталі р - п переходів. Потім проводилося вімірювання електропровідності на протилежних гранях кристалу и холлівської напруги на двох парах зондів. Зразок вважався одноріднім, ЯКЩО різніця между цімі величина не перевіщувала 10%.
Вімірювання електричних властівостей ТР проводилося як стацінарнім компенсаційнім, так и нестаціонарнімі методами. Експериментальні установки малі слідуючі конструктівні Особливості. У области азотних и підвіщеніх температур (77 год 500 К) вімірювання електропровідності и ЕФЕКТ Холла віконувалісь в азотному МЕТАЛЕВИЙ кріостаті. Температура вімірювалась термопарами мідь-константан. Вімірювання ЕФЕКТ Холла віконувалісь в магнітніх полях до 0,47 Тл. Електромагніт жівівся від батареї акумуляторів Великої Ємності. Живлення теплоход здійснювалось від гальванічніх ЕЛЕМЕНТІВ. Для живлення нагрівачів вікорістовувався змінний струм нізької напруги від Випрямляч НД - 24.
При стаціонарному методі вимірювань розрахунок кінетічніх Коефіцієнтів здійснюв...
