ustify"> Параметри моделювання:
. DC LIN V_V1 - 30 30 0.01
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 98. Графік ВАХ варистора
13.2 Моделювання характеристик варистора в динамічному режимі
Рис. 99. Схема моделювання характеристик варистора в динамічному режимі
Параметри моделювання:
. TRAN 0 1 0 0.001
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 100. Графік роботи варистора в динамічному режимі при подачі синусоїдального напруги
Тимчасова залежність напруги падіння напруги на варисторе. Ілюструє нелінійний характер ВАХ варистора.
13.3 Потроєння частоти на варисторе
Мостова схема з варисторами ілюструє можливість потроєння частоти синусоїдального сигналу.
Рис. 101. Мостова схема з варисторами
Параметри моделювання:
. TRAN 0 220ms 200ms 0.01ms
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 102. Графіки вхідного синусоїдального напруги і вихідного потроєного за частотою напруги
14. Моделювання характеристик термистора
Терморезистор - це резистор, в якому використовується залежність електричного опору напівпровідника від температури.
Термістор - це напівпровідниковий терморезистор з негативним температурним коефіцієнтом опору.
В термисторах прямого підігріву опір змінюється або під впливом теплоти, що виділяється в них при проходженні електричного струму, або в результаті зміни температури термістора через зміни його теплового опромінення (наприклад, при зміні температури навколишнього середовища).
Зменшення опору напівпровідника із збільшенням температури (негативний температурний коефіцієнт опору) може бути викликано різними причинами - збільшенням концентрації носіїв заряду, збільшенням інтенсивності обміну електронами між іонами з змінною валентністю або фазовими перетвореннями напівпровідникового матеріалу.
. Перше явище характерне для термисторов, виготовлених з монокристалів ковалентних напівпровідників (кремній, германій, карбід кремнію, сполук A III B IV та ін.) Такі напівпровідники мають негативним температурним коефіцієнтом опору в діапазоні температур, відповідних примесной електропровідності, коли не всі домішки іонізовані, а також в діапазоні температур власної електропровідності, коли концентрація носіїв змінюється через іонізації власних атомів напівпровідника. І в тому і в іншому випадку залежність опору напівпровідника визначається в основному зміною концентрації носіїв заряду, так як температурні зміни рухливості при цьому нехтує малі.
. Основна частина термисторов, що випускаються промисловістю, виготовлена ??з оксидних напівпр...
