дірок в слабкому полі. bp BETP1.0нетПоказатель, використовуваний в залежною від поля доречний рухливості для паралельного електричного поля.
Таблиця 2.35. Параметри поддіректіви SHR
СімволІмяЗначеніе по умолчаніюЕдініци ізмереніяОпісаніеE tr ETRA0.0еВЕнергетіческій рівень пасток Шоклі-Ріда-Холла по відношенню до власного рівню Фермі. t т0 TAUN1.07? 10 - 7 СВРЕМ життя електронов.N SRH, n NSRN5.0? 10 16 см - 3 Параметр концентраціі.A SRH, n ANSR1.0нетПараметр.B SRH, n BNSR1.0нетПараметр.C SRH, n CNSR0.0нетПараметр. a SRH, n EN2.0нетПараметр. t p0 TAUP1.0? 10 - 7 СВРЕМ життя дирок.N SRH, p NSRP5.0? 10 16 см - 3 Параметр концентраціі.A SRH, p APSR1.0нетПараметр.B SRH, p BPSR1.0нетПараметр.C SRH, p CPSR0.0нетПараметр. a SRH, p EP2.0нетПараметр.
Таблиця 2.36. Параметри поддіректіви Auger
СімволІмяЗначеніе по умолчаніюЕдініци ізмереніяОпісаніеС Aug, n AUGN2.8? 10 - 31 см 6/сКоеффіціент рекомбінації Оже.C Aug, p AUGP9.9? 10 - 32 см 6/сКоеффіціент рекомбінації Оже. Таблиця 2.37. Параметри поддіректіви Surface
СімволІмяЗначеніе по умолчаніюЕдініци ізмереніяОпісаніе n sn VSRN1? 10 - 10 см/сСкорость поверхневої рекомбінації електронів. n sp VSRP1? 10 - 10 см/сСкорость поверхневої рекомбінації дірок.
Таблиця 2.38. Параметри поддіректіви Radiative
СімволІмяЗначеніе по умолчаніюЕдініци ізмереніяОпісаніеBRATE1? 10 - 14 cм - 3/сКоеффіціент випромінювальної рекомбінації.
Таблиця 2.39. Параметри поддіректіви Impact ionization exponents
СімволІмяЗначеніе по умолчаніюЕдініци ізмереніяОпісаніеE 0 EN00.0В/смДіапазон 0-E 0 електричного поля для електронов.E 1 EN14.0 € 10 5 В/смДіапазон E 0 -E 1 електричного поля для електронов.E 2 EN26.0 € 10 5 В/смДіапазон E 1 -E 2 електричного поля для електронов.B 0 n BN00.0В/смПоказатель поля для електронів в інтервалі 0 - E 0 B 1 n BN11.4? 6 жовтня В/смПоказатель поля для електронів в інтервалі E 0 - E 1 B 2 n BN21.4? 10 червня В/смПоказатель поля для електронів в інтервалі E 1 - E 2 B 3 n BN31.4? 10 червня В/смПоказатель поля для електронів в інтервалі E 2 -бесконечностьE 0 EP00.0В/смДіапазон електричного поля для дирок.E 1 EP16.07 € 10 5 В/смДіапазон електричного поля для дирок.E 2 EP26.07 € 10 5 В/смДіапазон електричного поля для дирок.b 0 p BP00.0В/смПоказатель поля для дірок в інтервалі 0 - E 0 b 1 p BP12.09? 6 жовтня В/смПоказатель поля для дірок в інтервалі E 0 - E 1 b 2 p BP21.4? 6 жовтня В/смПоказатель поля для дірок в інтервалі E 1 - E 2 b 3 p BP31.4? 10 червня В/смПоказатель поля для дірок в інтервалі E 2 - бесконечностьa 0 n AN00.01/смКоеффіціент іонізації елект- рического поля в діапазоні 0 - E 0
Таблиця 2.40. Параметри поддіректіви Impact ionization coefficients
СімволІмяЗначеніе по умолчаніюЕдініци ізмереніяОпісаніеa 0 n AN00.01/смКоеффіціент іонізації поля для електронів в діапазоні 0 - E 0 a 1 n AN17.0? 10 5 1/смКоеффіціент іонізації поля для електронів в діапазоні E 0 -E 1 a 2 n AN27.0? 10 5 1/смКоеффіціент іонізації поля для електронів в діапазоні E 1 - E 2 a 3 n AN37.0? 10 5 1/смКоеффіціент іонізації поля для електронів в діапазоні E 2 - бесконечностьa 0 p AP00.01/смКоеффіціент іонізації поля для дірок в діапазоні 0 - E 0 a 1 p AP11.3? 10 червня 1/смКоеффіціент іонізації поля для дірок в діапазоні E 0 - E 1 a 2 p AP24.4? 10 5 1/смКоеффіціент іонізації поля для дірок в діапазоні E 1 - E 2 a 3 p AP34.4? 10 5 1/смКоеффіціент іонізації поля для дірок в діапазоні E 2 - нескінченність
Таблиця 2.41. Параметри поддіректіви Photogeneration
ІмяЗначеніе по умолчаніюЕдініци ізмереніяОпісаніеRATE1 € 10 20 см - 3/сМаксімальная швидкість фотогенерації в області.XLFT0мкмЛевая грань заповнюваної області.XRGT1мкмПравая грань заповнюваної області.YTOP0мкмВерх заповнюваної області.YBOT1мкмДно заповнюваної області.ALX0.001мкмХарактерістіческая довжина в напрямку X.ALY0.001мкмХарактерістіческая довжина в напрямку Y.
Моделювання біполярного транзистора . Project tree кожного проекту SemSim формується виходячи з тих залежностей, які планується отримати. Чим точніше мають бути результати, тим більше різних ефектів має бути врахована. На рис. 2.32 представлений найпростіший варіант «алгоритму» моделювання біполярного транзистора.
Він включає в себе тільки директиви описують розміри пристрою, число вузлів сітки, файл з даними чисельного легування, положення електродів і зміна напруги на них (див. рис. (2.322.34). Зокрема, елемент розміром 7.5х14х5 мкм ( вісь х , у , z відповід...
