у міру збільшення відстані між часткою і ямою.
Висновок
У ході виконання курсової роботи були реалізовані поставлені завдання, а саме:
Гј розглянуто такий клас речовин, як напівпровідники,
Гј визначено сутність квантового розмірного ефекту в напівпровідниках, яка полягає у зміні енергій збудження, а також в модифікації їх щільності станів,
Гј проілюстрований квантовий розмірний ефект електронів і дірок,
Гј схематично розглянуто резонансне тунелювання через квантову яму з подвійним бар'єром,
Гј вивчені вольт-амперні характеристики приладів з резонансним тунелюванням,
Гј знайдені пов'язані рішення і відповідні їм власні значення у разі прямокутної ями.
Поява напівпровідникових матеріалів, які виявляються більш чистими, належать до іншого класу або мають штучно створену структуру, часто призводить і до відкриттів нових явищ, а також до нових застосувань. Прекрасним прикладом є виготовлення синтетичних шаруватих структур, наприклад, квантових ям і надграток. Хоча спочатку ці структури були запропоновані для застосування в електронних приладах, пізніше їх значення виявилося набагато ширше за все, що можна було уявити. Вони стали поштовхом, що сприяв розвитку численних нових областей, не пов'язаних з фізикою напівпровідників і електронними приладами, таких як матеріалознавство, фізик поверхонь, молекулярні фізика і хімія. Враховуючи той факт, що багато нові методи росту і виготовлення напівпровідників вивчаються і вдосконалюються у провідних лабораторіях світу, можна впевнено передбачити, що фізика напівпровідників не досягнула насичення і продовжує швидко розвиватися. br/>
Список літератури
1. Ю П., Кардона М. Основи фізики напівпровідників/Пер. з англ. І.І. Решінію. Під ред. Б.П.Захарчені. - 3-е вид. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. - 560 с.
