ібну електропровідність, скроню корозійну стійкість, можлівість Паяний и зварки. [2]
Плівкові перехідні контакти
Контактний вузол двох плівковіх ЕЛЕМЕНТІВ ІС має Певний Опір, залежний від геометрії І Розмірів контакту, електропровідності контактуючіх матеріалів, Пітом перехідного опору контакту.
Під Пітом перехіднім опором розуміють Опір одініці площі контактного переходу Струму, что протікає по нормалі до шарів контакту.
цею Опір обумовлення розсіянням носіїв Струму на неоднорідностях в місці Зіткнення двох металевих матеріалів; стрібкоподібною зміною Атомної и Електронної структур, а такоже наявністю чужорідніх включенню до місці контакту. Отже, значення Пітом перехідного опору істотно поклади від природи контактуючіх матеріалів, а такоже умів и способу їх Формування. [1]
РОЗДІЛ 2. ТЕХНОЛОГІЯ ВИРОБНИЦТВА ІНТЕГРАЛЬНІХ МІКРОСХЕМ
Сукупність технологічних операцій, складових технологічний маршрут виробництва тонкоплівковіх ІС, Включає підготовку поверхні підкладкі, Нанесення плівок на підкладку и Формування конфігурацій тонкоплівковіх ЕЛЕМЕНТІВ, монтаж и збірку навісніх компонентів, захист и герметізацію ІС від зовнішніх Дій. ВАЖЛИВО значення при створенні ІС мают контрольні Операції, а такоже підготовка виробництва: виготовлення комплекту масок и фотошаблонів, контроль компонентів ІС и початкових матеріалів. [4]
Нанесення плівок на підкладку ІС здійснюється:
а) термічнім випаровуваності матеріалів у вакуумі з конденсацією парі ціх матеріалів на поверхню підкладкі;
б) іоннім розпилюваного мішеней з матеріалів, что завдаючи, з перенесеним атомів мішеней на поверхню підкладкі;
в) хімічнім осадженим плівок в результаті протікання хімічніх реакцій в газовій фазі над поверхнею підкладкі з Утворення плівкотвірної Речовини з подалі его осадженим на підкладку.
Для Формування конфігурацій провідного, резистивного и діелектрічного шарів Використовують Різні методи: масковий (відповідні матеріали напілюють на підкладку через знімні маски); фотолітографія (плівку Наносячи на всю поверхню підкладкі, после чего вітравляють з ПЄВНЄВ ділянок); електронно-променево (Деякі ділянки плівкі відаляють за завдання програмою з підкладкі Шляхом випаровуваності под вплива електронного Променя); лазерний (аналогічній електронно-променево, Тільки вместо електронного застосовують промінь лазера). Найбільшого Поширення Набуля два Перші способом, а такоже їх поєднання. [3]
2.1 Масковий метод
Найпростішім методом Отримання заданої конфігурації плівковіх ЕЛЕМЕНТІВ є масковий, при якому Нанесення шкірного кулі тонкоплівкової структурованих здійснюється через Спеціальний трафарет. При маскові методі рекомендується така послідовність Формування шарів ІС:
1) напилення резісторів, провідніків и контактних майданчиків;
2) міжшарова ізоляція;
3) іншого кулі для Перетин провідніків;
4) ніжніх обкладань конденсаторів;
5) діелектріка;
6) верхніх обкладок конденсаторів;
7) захисна кулі.
Плівка з напілюваного матеріалу осідає на підкладці в місцях, відповідніх малюнку вікон в масці. Як материал знімної маски Використовують плівкі берілієвої бронзи завтовшки 0,1-0,2 міліметра, покритием кулею нікелю завтовшки близьким 10 мкм.
Нанесення плівок через знімні маски здійснюють термічнім випаровуваності у вакуумі або іонно-плазмових розпилюваного.
У результаті вікрівлення маски в процесі напилення плівкі между маскою и підкладкою утворюється зазор, что приводити до підзапалу. Крім того, Розміри вікон у масці при багатократно напіленні зменшуються. Всі це обумовлює Меншем точність даного методу в порівнянні з фотолітографією.
Чи не Дивлячись на Недоліки масковий метод є найпростішім, технологічнішім и вісокопродуктівнім. [1]
2.2 Метод фотолітографії
цею метод дозволяє отріматі конфігурацію ЕЛЕМЕНТІВ будь-якої складності и має велику точність у порівнянні з маскові, протікання ВІН складнішій.
Існує декілька різновідів фотолітографії. Метод прямої фотолітографії передбачає Нанесення суцільної плівкі матеріалу тонкоплівкового елементами, Формування на ее поверхні фоторезістівної контактної маски, вітравляння через вікна у фоторезісті Зайве ділянок плівкі. Контактна маска з фоторезиста або Іншого матеріалу, стійкішого до подалі технологічних Дій, відтворює Малюнок фотошаблон з плівкі. [3]
Експонованій фоторезист віддаляється (розчіняється) после чого плівка резистивного матеріалу відаляється з ділянок, які не захіщеніх фоторезистом. Далі на підкладці у вакуумі наноситися суцільна плівка алюмінію. После фотолітографії и травички алюмінієм провідна плівка залішається в областях контактних майданчиків и провідніків. При цьом сформовані на попередня етапі резистори НЕ ушкоджуються. После нанесення поверх провідніх ЕЛЕМЕНТІВ и резісторів захисних кулі скла прово...
