ами можна визначити, зокрема, за результатами вимірювання кривих [2], що визначаються як:
Dм (Н) = I d (H) - (I Ој - 2I r (H) (3)
де I ВҐ -залишкова намагніченість після вимикання насичує поля, I d (H) і - також залишкові намагніченості після виключення поля Н, але в першому випадку прикладається негативне поле до зразка в змозі I ВҐ , а в другому - позитивне поле до розмагніченість зразком.
Вимірювання на Со-містять АОП, складаються з окремих кристалітів (голчастих частинок), просторово ізольованих один від одного, підтверджують висновок про те, що покриття в цьому випадку можна розглядати як ансамбль ізольованих однодоменних частинок: dM (H) В»0, кутові залежності коерцитивної сили на початковому ділянці добре збігаються з розрахунковими [7]. Якщо ж врахувати кінцеві розміри частинок (у розрахунках [6] розглядаються нескінченно довгі циліндри) і дисперсію осей легкого намагнічування і поля анізотропії, то можна отримати більш повний збіг (така корекція проведена для одноосних плівок кобаль-хром з параметрами, близькими до параметрів досліджених нами плівок [8]). Зазначимо, що вплив відпалу на характер Залежно Н з (j) можна порівняти з ефектом зменшення щільності упаковки голчастих частинок і може бути обумовлено вдосконаленням їх кристалічної структури і збільшенням їх магнітного поділу за рахунок зв'язування надлишкового кисню, що входить в склад оксидної плівки переважно по межах осередків.
Структури кремній-на-ізоляторі (КНІ) є перспективним матеріалом для розробки нових мікроелектронних виробів з поліпшеними характеристиками. В даний час на ринку вже є більше десятка фірм, що постачають КНС структури різного діаметру за ціною від 55 до 900 доларів. Найбільше поширення для виробництва КМОП БІС отримали КНС структури SIMOX (імплантація кисню в кремній), Smart Cut і Dele Cut (імплантація водню і термокомпрессіонной сплавлення пластин), а також структури КНС, одержувані епітаксії кремнію на сапфірових підкладках. У Білорусі дослідження по КНС технології ведуться за двома напрямками: розробка власної технології виготовлення КНС структур, що задовольняють вимогам сучасної мікроелектроніки, і розробка елементної бази КНС КМОП БІС. Одним з головних питань, яке необхідно вирішити НВО "Інтеграл", є питання про те, яку технологію взяти за основу для розробки власної технології виробництва КНС структур [1]. p> У результаті роботи представлені результати порівняльних досліджень КМОП БІС СОЗУ 8К, виготовлених в різних КНС структурах і в структурах КНС, з метою оцінки їх придатності для виготовлення сучасних БІС в умовах виробництва НВО "Інтеграл".
Для проведення досліджень використовувалися КНС структури, виготовлені за технологіями SIMOX, Smart-Cut, Dele-Cut і КНС. КНС структури були підібрані з однаковою товщиною плівки кремнію 0.23-0.29 мкм і товщиною ізолюючого оксиду 0.28-0.4 мкм і проведені по ...
