цеху серійного виробництва НВО "Інтеграл" у складі однієї партії пластин.
Для досліджень була розроблена спеціалізована тестова матриця, що містить набір тестових елементів для контролю електричних параметрів елементної бази КМОП БІС, контролю та оптимізації технології їх виготовлення. До складу тестової матриці були включені дві КМОП БІС статичного оперативного пам'яті ємністю 8К c організацією 1024х8 біт на базі 6-ти і 10-ти транзисторних осередків пам'яті. Ці БІС були розроблені з проектними нормами 1,2 мкм під існуючий на НВО "Інтеграл" серійний КМОП процес з одним рівнем полікристалічного кремнію і двома рівнями металізації.
На всіх зразках структур КНС і КНС отримані МОП транзистори з широким набором розмірів довжин каналів і ширин транзисторів. Важливо відзначити, що такі параметри одиничних МОП транзисторів як порогове напруга, напруга пробою витік-стік, струм стоку практично не залежали від типу використаних КНС структур, а визначалися рівнями легування кишень і приповерхневої області плівки кремнію під затвором. У Водночас, початкові ділянки і нахил допорогових характеристик сильно залежали від типу використаних КНС структур. Кращі результати показали КНС структури Smart Cut, SIMOX і КНС. На КНС структурах Dele Cut були отримані МОП транзистори з задовільними характеристиками, але зі значним розкидом параметрів по поверхні пластин.
З метою дослідження рівня стійкості і характеру зміни параметрів проводилися порівняльні радіаційні випробування КМОП БІС СОЗУ 8К, виготовлених в КНІ та КНС структурах. У зразках, виготовлених в КНІ структурах, була можливість реалізації двох варіантів підключення підкладки - до шини з нульовим потенціалом і до шини, з'єднаної з джерелом живлення. Радіаційні випробування включали оцінку стійкості БІС до імпульсного впливу і повній дозі з використанням лазерного та рентгенівського імітаторів. Максимальний еквівалентний рівень імпульсного впливу склав 2,5 в€™ 10 12 условн. од/с, еквівалентна потужність дози рентгенівського випромінювання - 174 условн. од/с. У процесі випробувань контролювалося наявність тиристорного ефекту і катастрофічеcкіх відмов, контроль функціонування (відсутність збоїв і відмов), схоронність записаної інформації (збіг ліченої і записаної інформації), величини струмів споживання. При функціональному контролі застосовувалися алгоритмічні тести типу "запис-зчитування": "поле 0", "поле 1", "шахи", "Інверсні шахи", "псевдовипадковий код". p> Насамперед, відзначимо, що відмінностей у радіаційної стійкості зразків КМОП СОЗУ 8К, виготовлених в Smart Cut і SIMOX КНС структурах, не встановлено. Катастрофічних відмов і тиристорного ефекту у всіх досліджених зразках не виявлено до рівня імпульсного впливу 2,5 В· 10 12 условн. од/с. Рівень збереження інформації (УСІ) для зразків БІС СОЗУ на 10-ти транзисторних елементах пам'яті на КНІ структурах склав 3,9 В· 10 11 условн. од/с, що більш ніж у три рази бі...
