ustify"> = 0,8
для i = 3: Е Е3 = 0,9
для i = 4: ЕЕ4 = 1
Nmaxmax = Nmaxеффект/ЕЕФ = 175000/0.5 = 350000 еле
Обчислимо, звівши результати в таблицю 1.1:
Таблиця 1.1
Рівень компонування IСхемная інтеграціяMax інтеграціяN i M i N si M si i = 110101414i = 22502531225i = 3400020444519i = 41750003634800036
1.3 Визначення рівнів напівпровідникової технології ( l ) МКМ
В
1.4 Вибір схемотехніки.
Будуємо БІС на основі схемотехніки КМОП. Обгрунтування вибору схеметехнікі наведено в п.3 при розрахунку енергетичних характеристик. br/>
L = 10/(Nmaxmax ^ 0,4) = 10/9, 0675 = 0,0799 мкм
Базовими логічними елементами в КМОП-схемотехніці є інвертор; логічні схеми І-НЕ, АБО-НЕ; тактируемого двонаправлений ключ. Наведемо їх принципові схеми:
логічна схема пристрій охолодження
В
В
В
В
2. Розрахунок основних і довільних компонувальних параметрів логічної схеми пристрою
2.1 Розрахунок основних (первинних) компонувальних параметрів логічних схем
Розрахунок проводимо з використанням заданої схемної інтеграцією.
Основні компонувальні параметри розраховуємо за формулами системних компонувальних співвідношень, наведених у п.4 для заданого за умовою мікропроцесорного принципу компонування. Результати зведені в таблицю 2.1. br/>
Таблиця 2.1
Рівень компоновкіІнтеграціяm i h i < span align = "justify"> H i K i r i r i l l i n i piqi N i M i 3. Розрахунок енергетичних характеристик МКМ
