lign="justify"> Розрахуємо потужність, споживану одним ЛЕ, затримку і напруга:
Приймаються U БЛЕ = 5 В, тоді
В
Знаючи, задану максимальну ефективну інтеграцію та енергетичні параметри одного ЛЕ, визначимо параметри всієї БІС:
Аналізуючи параметри розсіювання потужності для КМОП, ТТЛ і ЕСЛ видно, що РТТЛ і РЕСЛ в 5-20 разів вище, ніж PКМОП, при цьому виникає не розв'язувана проблема відведення тепла. Отже, в якості схемотехніки НВІС вибираємо КМОП технологію. p> Знайдемо потужність, яка розсіюється при роботі кристала (фактичну потужність):
PкрфактСБІС = PСБІС/Cск, де
Cск - шпаруватість, яка визначається за формулою
ССК = T0/(tле * Hk);
Т0 - час виконання циклу, нс;
Hk - число каскадів в циклі.
Знаючи, що T0 = Hk * tс, де tс - системна затримка на одному ЛЕ, то запишемо
Cск = tс/tле.
Знайдемо tс = tле + tсв, де
tле - схемна затримка на ЛЕ;
tсв - конструктивна затримка на ЛЕ. p> У підсумку отримаємо
ССК = (tле + tсв)/tле = (0,09 +0,08)/0,09 = 1,889
Тоді остаточно маємо
Pкрфакт = 18/1, 889 = 9,5 Вт
4. Вибір система охолодження МКМ та обгрунтування вимог до елементів конструкцій
З п.3 відомо:
P кр факт МКМ = 0,14 Вт
Для вибору системи охолодження скористаємося ставленням
P/S ВЈ [P S] , де
P = P кр факт МКМ , Вт;
S - площа корпусу МКМ, см 2 ;
P S - щільність, Вт/см 2 (вибирається за спеціальною таблицею залежно від виду системи охолодження).
Висловлюючи звідси площа, отримаємо
S Ві P/P S
У нашому випадку маємо корпус з планарних висновками, розташованими рівномірно по всіх чотирьох сторонах корпусу з кроком 0,25 мм. Таким чином, площа корпусу може бути знайдена за формулою
S = L кор 2 ,
де
