br/>
Виготовлення напівпровідникових мікросхем здійснюють груповим методом, при якому на одній пластині 1 (рис. 3) одночасно створюють велике число (до 300 - 500) однакових функціональних структур (наборів елементів і межсоединений). Одночасній обробці піддається до 20 пластин. Після виконання всіх операцій з формування елементів і межсоединений пластину розрізають на окремі плати 2, звані кристалами. Кожен кристал містить одну функціональну структуру. Його закріплюють на основі корпусу 3, контактні площадки з'єднують з висновками мікросхеми за допомогою тонких проводнічкі, потім на підставу надягають кришку корпуса 4 і корпус герметизують, чим забезпечується захист кристала від впливів навколишнього середовища. p align="justify"> Розглянемо тепер особливості пристрою елементів напівпровідникових мікросхем, які обумовлені необхідністю ізоляції елементів від тіла кристала, що володіє помітною електричну провідність. Ізоляцію елементів здійснюють або за допомогою додаткового електронно-діркового переходу, що знаходиться під зворотною напругою, або за допомогою тонкого шару діелектрика, наприклад двоокису кремнію. Перший спосіб більш простий і дешевий і тому найбільш поширений, але він не дозволяє отримати струм витоку на тіло кристала менше 10 нА і ємність елемента по відношенню до тіла кристала менш 2пФ. Другий спосіб складніший і доріг, але знижує струм витоку в тисячі разів, а ємність - у десятки разів. p align="justify"> Біполярні транзистори. Структура транзистора, ізольованого електронно-дірковим переходом, показана на рис. 1.4. Електрод колектора До розташований в інтегральних транзисторах на верхній поверхні кристала, там же знаходяться електроди емітера Е та бази Б. Щоб у цих умовах забезпечити низькоомним шлях для колекторного струму до електрода колектора K, під n-областю колектора створюють прихований шар n +, що володіє підвищеною провідністю . Ізолюючий перехід утворюється вздовж лінії, що розділяє В«-область колектора іВ« +-область його прихованого шару від р +-областей та р-області тіла кристала. br/>В
Рис. 4 - Інтегральні напівпровідникові діоди (схема з'єднання)
В
Рис. 5 - Інтегральний МДП-транзистор
Транзистори напівпровідникових мікросхем можуть мати кілька окремих емітерів при одній базі і одному колекторі. Такі транзистори називаються многоеміттерних. Їх пристрій показано на рис. 5, а способи використання розглянуті в гл. 4. Якщо в напівпровідниковій мікросхемі застосовують діелектричну ізоляцію елементів, то транзистори мають таку ж двухпереходную структуру, як і їх дискретні аналоги. p align="justify"> Значення параметрів інтегрального біполярного транзистора визначаються, як звичайно, концентраційним профілем структури, площею переходів, електрофізичнимипараметрами матеріалу. Максимальний колекторний струм може досягати 50 мА, коефіцієнт передачі струму бази від 20 до 50, зворотні струми переходів мен...
