Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » Розрахунок температурних залежностей електрофізичних параметрів напівпровідників

Реферат Розрахунок температурних залежностей електрофізичних параметрів напівпровідників





ться з двох елементів, приято називати бінарними. Вони позначаються літерами латинського алфавіту з цифровими індексами (римські цифри над буквами позначаються групу в періодичній системі, а арабські цифри під буквами-стехіометричний коефіцієнт): АШВV (GaAs, JnSb), AIIBVI (CdS. ZnSe), AIVBVI (PbTe), AIVBIV ( SiC), A2VB3VI (Bi2Te3) і т.д.

Тверді розчини напівпровідникових матеріалів позначають символами входять до нього елементів з індексами, які вказують атомну частку цих елементів у розчині.

Для виготовлення напівпровідникових приладів і пристроїв мікроелектроніки використовують як монокристали, так і полікристалічні матеріали [1].

Досконалі кристали напівпровідників при абсолютному нулі є діелектриками. Характерні для напівпровідників властивості проявляються при кінцевих температурах, при наявності домішок, при відхиленнях складу речовини від стехіометрії. Провідність напівпровідників займає проміжне значення між типовими діелектриками і металами:

діелектрики - у ~ 10 -16 (Ом В· м) -1 ;

напівпровідники - у ~ 10 -4 -10 5 (Ом В· м) -1 ;

метали - у ~ 10 6 -10 8 (Ом В· м) -1

Важливою відмінністю напівпровідників від металів є характер температурної залежності провідності: якщо для типових металів провідність обернено пропорційна температурі (при не дуже низьких значеннях температури), то у бездомішкового напівпровідників провідність зростає із зростанням температури за експоненціальним законом.

Специфічні напівпровідникові ефекти застосовуються в різноманітних приладах і пристроях, таких, як:

напівпровідникові термоелектрогенератори;

напівпровідникові діоди для випрямлення змінного струму і детектування модульованих коливань;

тунельні діоди для генерації надвисокочастотних електромагнітних хвиль;

світло-і фотодіоди, фотоелементи, сонячні батареї;

термістори і тензорезистори (їх опору відомим чином залежать від температури або механічного тиску);

варикапи (конденсатори із змінною електричним полем ємністю);

біполярні і польові транзистори, мікросхеми різного призначення на їх основі;

запам'ятовують пристрої (оперативна пам'ять ЕОМ);

прилади із зарядним зв'я...


Назад | сторінка 4 з 18 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Розрахунок температурних залежностей електрофізичних параметрів напівпровід ...
  • Реферат на тему: Розробка СВЧ блоку пристрою для безконтактного виміру електрофізичних парам ...
  • Реферат на тему: Моделювання сонячних батарей на основі різних напівпровідників
  • Реферат на тему: Дослідження нелінійно-оптичних процесів в неоднорідних середовищах на основ ...
  • Реферат на тему: Область застосування напівпровідників