ться з двох елементів, приято називати бінарними. Вони позначаються літерами латинського алфавіту з цифровими індексами (римські цифри над буквами позначаються групу в періодичній системі, а арабські цифри під буквами-стехіометричний коефіцієнт): АШВV (GaAs, JnSb), AIIBVI (CdS. ZnSe), AIVBVI (PbTe), AIVBIV ( SiC), A2VB3VI (Bi2Te3) і т.д.
Тверді розчини напівпровідникових матеріалів позначають символами входять до нього елементів з індексами, які вказують атомну частку цих елементів у розчині.
Для виготовлення напівпровідникових приладів і пристроїв мікроелектроніки використовують як монокристали, так і полікристалічні матеріали [1].
Досконалі кристали напівпровідників при абсолютному нулі є діелектриками. Характерні для напівпровідників властивості проявляються при кінцевих температурах, при наявності домішок, при відхиленнях складу речовини від стехіометрії. Провідність напівпровідників займає проміжне значення між типовими діелектриками і металами:
діелектрики - у ~ 10 -16 (Ом В· м) -1 ;
напівпровідники - у ~ 10 -4 -10 5 (Ом В· м) -1 ; p>
метали - у ~ 10 6 -10 8 (Ом В· м) -1
Важливою відмінністю напівпровідників від металів є характер температурної залежності провідності: якщо для типових металів провідність обернено пропорційна температурі (при не дуже низьких значеннях температури), то у бездомішкового напівпровідників провідність зростає із зростанням температури за експоненціальним законом.
Специфічні напівпровідникові ефекти застосовуються в різноманітних приладах і пристроях, таких, як:
напівпровідникові термоелектрогенератори;
напівпровідникові діоди для випрямлення змінного струму і детектування модульованих коливань;
тунельні діоди для генерації надвисокочастотних електромагнітних хвиль;
світло-і фотодіоди, фотоелементи, сонячні батареї;
термістори і тензорезистори (їх опору відомим чином залежать від температури або механічного тиску);
варикапи (конденсатори із змінною електричним полем ємністю);
біполярні і польові транзистори, мікросхеми різного призначення на їх основі;
запам'ятовують пристрої (оперативна пам'ять ЕОМ);
прилади із зарядним зв'я...