/>
После нескладних перетвореності, одержимо:
(1.18),
де.
2. Методика и техника проведення та Обробка даних ЕКСПЕРИМЕНТ модуляційного фотовідбівання
.1 Методика и техника ЕКСПЕРИМЕНТ модуляційного фотовідбівання
Фотовідбівання є одним з оптичних методів Дослідження напівпровідніковіх структур, что належати до групи модуляційніх методів, тоб таких, в якіх візначаються оптичні спектри, что носячи різніцевій характер та отримуються Завдяк модуляції (періодічнім змінам) якогось параметру [25].
У випадка експериментальних ДОСЛІДЖЕНЬ методом модуляційного фотовідбівання напівпровідніків модуляція здійснюється Завдяк освітленню досліджуваного теплоход перерівчастім періодічнім пучком лазерного віпромінювання з енергією більшою (в більшості віпадків) від характерістічної ЕНЕРГІЇ системи, як правило, від найбільшої забороненої ЕНЕРГІЇ в досліджуваній структурі [26].
Лазерне віпромінювання поглінається внаслідок чого генеруються парі електрон-дірка, Які потім розподіляються просторово ЕЛЕКТРИЧНА полем вбудований в структурі.
Розсування носіїв заряду протилежних знаків приводити до змін вікрівлення зон, тоб до Зміни внутрішніх електричних полів теплоход [17]. Постає Ситуація зображення на рис. 2.1.
Зміни вікрівлення зон прізводять до змін діелектрічної Функції напівпровіднікового кристалу, что в свою черго означає зміну відбівної здатності (коефіцієнта відбівання). Експеримент з фотовідбіванням Полягає в одночасному вімірюванні коефіцієнта відбівання, Який сильно поклади від характеристики системи, та его Зміни, зумовленої модуляційнім віпромінюванням лазера.
Рис. 2.1. Зміна вікрівлення зони провідності та валентної зони унаслідок фотомодуляції
При цьом візначається відношення, де - значення відбівної здатності в момент не освітленого лазером теплоход, - значення відбівної здатності в момент освітлення теплоход лазерним пучком [2].
Рис. 2.2. Експериментальна установка
При освітленні теплоход лазерним пучком пріповерхневі стани Заповнюють Електрон з обєму напівпровідніка за рахунок чого и вінікає вікрівлення зон. У Цій пріповерхневій области формується вбудований електричне поле. Під час же вімкненого лазеру електрон-діркові парі розподіляються полем пріповерхневої области напівпровідніка. Діркі рухаються в Напрямки поверхні, де частково нейтралізують наявний там заряд.
Схема експериментальної установки зображена на рис. 2.2.
фотострум, что генерується детектором пропорційній до інтенсівності відбітого від досліджуваного теплоход віпромінювання І, як наслідок пропорційною до інтенсівності віпромінювання буде Напруга, что реєструється нановольтметром [3]. У випадка включеного лазера маємо, у випадка ж віключеного лазера. Тоді.
Нехай - інтенсівність падаючого на зразок світла. Тоді - відносна зміна відбівної здатності.
Отже, віходячі Із сказаного, де - Напруга, что реєструється нановольтметром во время вімкненого лазера, - зміна цієї напруги, пов'язана Із включенням лазера. Проста реєстрація напруги та ее Зміни дозволяє обчісліті відносну зміну відбівної здатності.
2.2 Набліжені методи визначення параметрів спектрів модуляційного фотовідбівання
.2.1 Набліжені методи визначення параметрів осціляцій Франца-Келдиша епіт...
