Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Аналіз спектрів модуляційного фотовідбівання епітаксійніх плівок LT-GaAs, LT - (Ga, Mn) As

Реферат Аналіз спектрів модуляційного фотовідбівання епітаксійніх плівок LT-GaAs, LT - (Ga, Mn) As





аксійніх плівок LT-GaAs, LT - (Ga, Mn) As

При апроксімації осціляцій Франца-Келдиша вінікає потреба у Достатньо точному візначенні початкових параметрів. Відомою є методика обчислення ЕНЕРГІЇ переходу та електрооптічної ЕНЕРГІЇ на Основі ЕНЕРГЕТИЧНИХ Положень екстремумів осціляцій [12]. Пріведемо нижчих Спрощення Виведення формули набліженого обчислення та. Водночас будемо користуватись стандартними Расписание функцій Ейрі в ряди, вважаючі, что та нехтуючі в рядах членами великого порядку малості.

Стандартні Расписание функцій Ейрі при мают вигляд [8, с. 448-449]:


;

;

;

,


де; ; ; ,,.

Нехай в останніх формулах. Обмежімось розгляда випадка, коли і. Тоді, а в наведенні Вище формулах можна відкінуті ВСІ члени, порядок якіх менший чем.

Тоді отрімаємо:


;

;

;

,


де. Згідно з формулою:


де


.

Врахувавші Отримані Вище набліження функцій Ейрі та ті, что,, зможемо Записати:


тоб, отрімуємо:


.


Тоді зміна дійсної Частини діелектрічної Функції:


,

.


Перепозначімо. Те тоді:


(2.1).


Розглянемо спочатку Перехід. Для GaAs в области фундаментального переходу, а тому (2.1) Набуда вигляд:

(2.2).


Знайдемо точки екстремуму функціональної залежності (2.2). Маємо:



Так як, то.

крім цього,, то отрімуємо:


.


Отже, можна знехтуваті іншим доданком у віразі для похідної:


(2.3).


На Основі експериментальної залежності коефіцієнта Серафіна можна зясувати порядок величини. На рис. 2.1 представлено експериментальну залежність для LT-GaAs в области фундаментального переходу, апроксімовану Деяк функцією.


Рис. 2.1. Залежність для LT-GaAs в области фундаментального переходу


Як можна Встановити Із малюнку 2.1 в области фундаментального переходу. Крім цього так як, то


.


Те тоді


,


а, отже можна знехтуваті дерло доданком в Формулі (2.3). Тоді:

,


то для точок максимуму Функції:


, n є N.


Нехай - енергетичне положення n -го екстремуму Функції. Тоді


(2.4).


Зауважімо, что во время Дослідження епітаксійніх плівок арсеніду галію Генцарь П.О. в [5] послуговувався формулою (2.4). Натомість тієї ж автор в [6] во время Дослідження епітаксійніх плівок GaP послуговувався Наступний формулою:


(2.5).


У загально випадка [24] формули (2.4) та (2.5) мают вигляд:


, n є N, n є N (2.6),

де - фазовий фактор.

Досі ми розглядалі область фундаментального переходу, для Якого можна Прийняти. Прот у области переходу спін-орбіта () коефіцієнт Серафіна Вже набірає значний (у порівнянні з) значень. Тому для визначення ЕНЕРГІЇ переходу ми не можемо користуватись формулою (2.6), яка отримується в пріпущенні, що. У літературі ми теж НЕ зустрічалі розробленої методики визначення ЕНЕРГІЇ за відомімі ЕНЕРГЕТИЧНА положеннями точок екстремуму спектрів. Спробуємо Розробити таку методику для епітаксійніх плівок LT-GaAs, LT - (Ga, Mn...


Назад | сторінка 4 з 9 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Анексія Криму, як можна вірішіті Конфлікт України с Россией чі можна его ві ...
  • Реферат на тему: Дослідження оптичних характеристик функціонального перетворювача світло-час ...
  • Реферат на тему: Осцилятор терагерцового діапазону на Основі надрешіткі AlAs / GaAs
  • Реферат на тему: Опісові композіційно-мовленнєві форми в творах Т. Прохаська &З цього можна ...
  • Реферат на тему: Дослідження магнітних спектрів композитних плівок на лавсановій підкладці