110.70.71.00.00880.50.040.45110.70.71.00.00881.00.040.45110.71.51.00.01892.00.040.45110.71.51.00.0189 ? 100кОм <1МОм0.250.040.45112.00.71.00.0252? 1МОм0.250.040.45110.60.71.00.0076С5-35В - 25 Постійний дротяний (навантажувальний)? 1кОм - 0.0450.21111.3-- 0.0123С5-61 Постійний дротяний? 1кОм-Б.с.г. 0.020.21111.3-- 0.0055СП5-16ВА Змінний дротяний (підлаштування) 0.24 Ом0.250.0030.46111.9-- 0.00266.8 кОм0.250.0030.46110.3-- 0.0004Б19К - 1-1Сборка резисторного - 0.020.4711 - - 0.0094Б19К - 2Сборка резисторного - 0.020.4711 - - 0.0094КонденсаторЕмкость, nфUном, В l б * 10 - 6, ч - 1 КрКеКпрК З КпсА проб А обрив l е. * 10 6, ч - 1 До 10-17 керамічний, постійної емкости180<16000.0250.18110.745-39/20.0034300<16000.0250.18110.790-39/20.00365600<16000.0250.18111.127-39/20.005110 4 <16000.0250.18111.208-39/20.0054 1.5 10 квітня <16000.0250.18111.268-39/20.0057 10 травня <16000.0250.18111.592-39/20.0072 До 10-23 керамічний, постійної емкості6.8 10 травня <1600Б.с . р. 0.0080.18112.004-39/20.0029 До 10-47А керамічний, постійної емкості4.7 10 Квітня <16000.020.18111.454-39/20.0052 1.5 10 травня <16000.020.18111.672-39/20.0060 3.3 10 травня <16000.020.18111.817-39/20.0065 4.7 5 жовтня <16000.020.18111.917-39/20.0069 1.5 10 червня <16000.020.18112.186-39/20.0079 До 50-24 оксідноелектроліт. ? 10 3 16-0.30.38111.0-- 0.1140 До 50-27 оксідноелектроліт. ? 10 3 160-0.40.38111.0-- 0.1520? 10 3 350-0.40.38111.0-- 0.1520 До 50-38 оксідноелектроліт. ? 10 3 (470) 16-0.120.38111.0-- 0.0456? 10 3 (2200) 16-0.120.38111.0-- 0.0456 До 53-18 оксиднополупровод.2.2321250.10.33111.0118/10.03306.8321250.10.33111.0118/10.033033321250.10.33111.0118/10.033010400.10.33111.0118/10.0330К 71-7 з органічним синтетичним диэлектриком.0.012500.060.15110.8-69/60.0072К 73-16 з органічним синтетичним диэлектриком.1.01600.020.15111.0-69/60.00306.81600.020.15111.064-69/60.00321.04000.020.15111.0-69/60.0030Б 18-1-ВСборка конденсаторная l е=l е. табл * (Кр ( 45 о С) / Кр (25 о С))=0.0252 * (0.11 / 0.05) [1. Стор 278] 0.0554
Таблиця 2. Значення інтенсивностей відмов напівпровідникових ЕРІ на платах САУ ГТеС
Тип елементаХарактерістіка елементаІсходние дані l е. * 10 6, ч - 1 ПолупроводнікподгруппаU раб, Вреж роботи l б * 10 6, ч - 1 КрКеКпрК ф Кs1Кдн 2Д206А діодКремніевS 1 < 60% випрямітель0.060.0958111.50.71.00.0060 2Д212А диодКремниевпереключатель0.280.0958110.60.70.60.00682Д213А диодКремниевпереключатель0.190.0958110.60.71.00.0076КД226В діодКремніев (імпул) 27переключатель0.090.0948110.60.70.80.00292Д510А діодКремніев (імпу??) Перемикач Аналог. выпрямитель0.0160.0958110.60.70.60.00041.00.00061.50.00102С108А стабілітрон0.0030.289911-- 0.00092С133В стабілітрон0.0120.289911-- 0.00352С175Ж стабілітрон0.00320.289911-- 0.00092С527А стабілітрон0.00260.289911-- 0.00082С530А стабілітрон0.00260.289911--0.00082С551А стабілітрон0.00260.289911-- 0.0008Д818Г стабілітрон0.00190.289911-- 0.00062Т504А транзісторБіполярний кремниевпереключатель0.0480.1902110.70.51.00.00322Т505А транзісторБіполярний кремниевпереключатель0.0480.1902110.70.50.80.00262Т630А транзісторБіполярний кремниевАналог.0.170.1902111.50.50.50.01222Т653А транзісторБіполярний кремниевпереключатель0.0480.1902110 .70.50.80.00262 Т827А транзісторБіполярний кремниевпереключатель0.0480.1902110.70.52.50.00802Т834А транзісторБіполярний кремниевпереключатель0.0480.1902110.70.52.50.00802Т842А транзісторБі...
