и зниженому тиску. Розробка процесів іонно-плазмового нанесення відображають структур з високою стійкістю параметрів. p align="justify"> У лабораторії розроблено ряд іонно-променевих та іонно-плазмових пристроїв для технології формування тонких плівок: двопроменеві іонні джерела, які розпилюють іонні джерела, іонні джерела для іонно-асистував нанесення шарів, магнетронний розпилювальні системи (МРС) і незбалансовані магнетронний розпилювальні системи (НМРС). Розроблені іонно-плазмові пристрої мають просту конструкцію, прості в застосуванні і нечутливі до забруднення. Це дозволяє використовувати дані пристрої, як для досліджень, так і в промисловості. p align="justify"> Одним з напрямків діяльності лабораторії є розробка, розвиток і впровадження сучасних технологій нанесення тонких плівок різного функціонального призначення. Далі представлений короткий огляд розробок:
Таблиця 2.1
Двухлучевой іонний джерело на основі прискорювача з анодним слоемНазначеніе Двухлучевой іонний джерело (ДИИ) на основі прискорювача з анодним шаром призначений для формування тонких плівок металів, напівпровідників і діелектриків методом іонно- променевого розпилення і реактивного іонно-променевого розпилення. ДИИ також застосовується для іонного очищення поверхні підкладок активації поверхні. Область застосування Іонно-променеве розпорошення Реактивний іонно-променеве розпорошення Подвійне іонно-променеве розпорошення Попередня іонна очищення поверхні Іонно-асистував нанесення шарів Формування перехідного шару (ionmixing) Іонне травлення Характеристики іонного джерела з мішенню Г† 80 мм розпорошувати ступінь: Анодна напруга 450 - 6000 В Енергія іонів 300 - 2000 еВ Струм розряду до 300 мА Струм іонного пучка до 250 мA Робочий тиск 0.01 - 0.06 Па Витрата газу до 40 мл/хв Робочі гази Ar, O 2 , N 2 , CH 4 і т.д. Швидкість нанесення шарів до 0.8 нм/c Асистуюча ступінь: Анодна напруга 450 - 3000 В (максимальне - 6000 В) Енергія іонів 300 - 1000 еВ (максимальна - 2000 еВ) Струм іонного пучка до 120 мA Робочий тиск 0.01 - 0.06 Па Витрата газу до 30 мл/хв Робочі гази Ar, O 2 , N 2 , CH 4 і т.д. магнетрон розпилювальна система незбалансованого типу МАС-80Назначеніе Призначена для нанесення шарів металів і сполук методами магнетронного і реактивного магнетронного розпилення в умовах іонного асистування. Опис У магнетронній розпилювальної системі незбалансованого типу МАС-80 основна магнітна система формує збалансовану конфігурацію магнітного поля на поверхні мішені. Додатковий соленоїд використовується для управління розподілом магнітного поля в області мішень - підкладка. Ця конфігурація дозволяє управляти щільністю іонного струму на підкладку, і також ставленням іон/атом на поверхні конденсації шляхом зміни рівня незбалансованості магнетрона. Характеристики (мішень Г† 80 мм): Напруга розряду 300 - 600 В Струм розряду до 4.0 А; Робочий тиск 0.02 - 0.5 Па ; Щільність струму підкладки до 15 мA/cм 2 Коефіцієнт незбалансованості (K) 1.0 - 8.0 Робочі гази інертний або суміш інертного і реактивного (O 2 , N 2 , C x H y < span align = "justify">) газів Витрата газу до 40 мл/хв; Розмір мішені Г† 80 мм ** На вимогу замовника розмір мішені може бути змінений в діапазоні від 60 до 160 мм. DC-RF дослідницька магнетрон розпилювальна сістемаНазначеніе Призначена для нанесення шарів діелектриків і сегнетоелектриків і їм подібних з'єднань методами магнетронного, реактивного ВЧ, імпульсного магнетронного розпилення і розпилення на постійному струмі. Опис У даній магнетронній розпилювальної системі використовуються мішені діаметром 36 мм. Використання мішеней такого розміру дозволяє мінімізувати витрати на проведення наукових досліджень за рахунок вартості розпилюються матеріалів, апаратури живлення та використання малогабаритних вакуумних постів. Характеристики (мішень Г† 36 мм): Напруга розряду 300 - 600 В Струм розряду до 1.0 А; Робочий тиск 0.02 - 0.5 Па ; Щільність струм...
