ify"> Недоліки: Обмеження по опору навантаження, так як при низкоомной навантаженні ємність конденсатора С2 повинна бути дуже великою.
де I е пок - струм емітера при нульовому вхідному сигналі U вх; U п - напруга живлення.
де U е пок - вихідна напруга емітерного повторювача при нульовій напрузі U вх.
де U б пок - вхідна напруга транзистора.
де k д - коефіцієнт дільника напруги.
де R вх тр - вхідний опору транзистора; ?- Коефіцієнт передачі по струму.
Вхідний опір каскаду одно еквівалентному опору паралельно з'єднаних Rб1, Rб2, R вх тр: R вх=Rб1//Rб2//R вх тр.
Вихідний опір каскаду чисельно одно еквівалентному опору паралельно з'єднаним R е і Rн.
Ємність конденсаторів обчислюють за наступними формулами:
де? н - нижня межа частот.
3. Розрахункова частина
Вихідні дані до роботи: U п=5В, R вх=6кОм, R вих=2кОм, f=100Гц - 10кГц.
. 1 Розрахунок опору в ланцюзі емітера
За відомим емпіричному співвідношенню Rе=(0.4..0.8) Rн. Нехай для нашої схеми Rе=0.5Rн. Тоді з формули для розрахунку R вих маємо:
При R вих=2кОм з формули (3.1) визначимо R е і Rн:
Вибираємо по найближчому номінальному значенню з ряду Е24.
Нашому вибору задовольняє резистор типу МЛТ - 0,125 з параметрами для
. 2 Розрахунок вхідного опору транзистора R Б VT.
R Б VT=(1 +?) * R е (3.2)
Для сучасних транзисторів коефіцієнт?=20? +1000. Нехай?=50, то вхідний опір складе:
R Б VT=(1 + 50) * 3=153 кОм
. 3 Розрахунок опорів дільника:
За формулою (2.2) визначимо напруга на емітер в режимі спокою:
За формулою (2.3) визначимо напруга на базі транзистора в режимі спокою:
Запишемо рівняння для опорів дільників:
Вхідний опір каскаду одно еквівалентному опору паралельно з'єднаних Rб1, Rб2, R Б VT: R вх=Rб1//Rб2//R Б VT. Звідки отримуємо ще одне співвідношення для RБ1і Rб2:
Вирішуємо систему рівнянь (3.3) і (3.4), отримуємо:
З ряду Е24 номінальних значень опорів вибираємо для RБ1і Rб2:
Нашому вибору задовольняють резистори типу МЛТ - 0,125 (постійні металлопленочні лаковані теплостійкі, 0.125 - номінальна розсіює потужність) з допуском на номінальний опір 10%:
. 4 Розрахунок ємностей для ФВЧ для входу і виходу.
Ємність конденсаторів визначається за формулами (2.6) і (2.7), яка склала:
Вибираємо ємності з ряду Е12 з запасом ємності:
Для даної схеми вибираємо керамические конденсатори ємністю 0,47мкф: К15-5 Н70 (К - конденсатор постійної ємності, 15 - керамічні високовольтний на номінальну напругу до 1,6 кВ, Н70 - Група ТКЕ) ± 5%.
3.5 Вибір транзистора
Обраний транзистор повинен задовольняти наступним умовам:
Даним умовам задовольняє транзистор МП11А (Транзистор германієвий сплавний npn підсилювальний низькочастотний з ненормованим коефіцієнтом шуму на частоті 1 кГц. Призначені для посилення сигналів низької частоти. Випускаються в металлостеклянном корпусі з гнучкими висновками. Позначення типу приводиться на бічній поверхні корпусу. Маса транзистора не більше 2 м).
Висновок
Виконавши мета нашої курсової роботи, ми освоїли навички розрахунку електронних схем підсилювачів на транзисторах, зрозуміли основні принципи роботи цих схем.
Основні висновки за виконану роботу:
Не володіючи посиленням по напрузі, каскад з ОК забезпечує значне посилення по струму, наслідком цього є значне посилення по потужності.
Каскад з ОК має достатньо високий вхідний опір, аналогічне вхідному опору каскаду про ОЕ. При цьому його вихідний опір дуже мало, тобто, він особливо зручний для узгодження високоомних джерел сигналу з низькоомний навантаженням. На практиці ми можемо значно підвищити вхідний опір (зазвичай набагато більше, ніж в каскаді з ОЕ), використовуючи принцип стежить зв'язку, описаний при розгляді підсилювачів з ОЕ. Мале вихідний опір робить каскад з ОК ідеальним при...
