lign="justify"> N maxmax = N maxеффект < span align = "justify">/Е еф = 49920/0.504 = 99047 еле
Максимальна інтеграція розраховується за формулами:
.
Обчислимо, звівши результати в таблицю 1:
У конструкціях пристроїв в однокорпусному БІС для НВІС використовується відповідно з рівнем i = 4 максимальна інтеграція складе N maxmax = 99047
Табл. 1
Рівень компонування iСхемная інтеграціяMax інтеграціяN i M i N si M si i = 110101414i = 21301323216i = 3312024619027i = 449920169904716
Визначення рівнів напівпровідникової технології ( l ) БІС
Оціночні розміри кристала визначаються за формулою:
l = l = 1.13 (мкм)
Вибір схемотехніки
Будуємо БІС на основі схемотехніки КМОП. Обгрунтування вибору схемотехніки наведено при розрахунку енергетичних характеристик. p align="justify"> Базовими логічними елементами в КМОП-схемотехніці є інвертор; логічні схеми І-НЕ, тактируемого двонаправлений ключ. Наведемо їх принципові схеми:
В
Рис. 1. Принципова схема 4-х входовий елемента І-НЕ
2. Розрахунок основних компонувальних параметрів логічної схеми БІС
Ця глава містить розрахунок ряду параметрів, які є для конструкції пристрою базовими (вихідними), обумовленими тільки логічною схемою і закладеними в ній методами та принципами компонування елементів. До них відносяться параметри, що характеризують: функціональний обсяг (загальну інтеграцію пристрою), число вхідних і вихідних зовнішніх контактів і співвідношення між ними, швидкодія, що визначається на цьому етапі кількістю каскадів ЛЕ в ланцюзі обробки, навантажувальні здатності ліній зв'язку (число зв'язків в ланцюзі), принципи компонування елементів в логічних схемах. Ці параметри визначаються з урахуванням принципів структуризації та моделювання логічної схеми пристрою. p align="justify"> Для розрахунку основних компонувальних параметрів використовувалися базові компонувальні співвідношення, що відображають системну взаємозв'язок між ними і принципи компонування елементів ...
